2009 Fiscal Year Self-evaluation Report
Study of insulator/Si interfaces and their stress using a monoenergetic positron beam
| Project/Area Number |
19360285
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Physical properties of metals
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| Research Institution | University of Tsukuba |
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Principal Investigator |
UEDONO Akira University of Tsukuba, 大学院・数理物質科学研究科, 准教授 (20213374)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2010
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| Keywords | 陽電子消滅 / 低速陽電子ビーム / 絶縁膜 |
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| Research Abstract |
低速陽電子ビームを用いた酸化膜/半導体構造評価手法を開発し,理想的な金属/酸化膜/半導体界面構造を得るためのプロセスを探索する.従来から使用してきた低速陽電子ビームラインを改造し,ビーム径縮小システムを製作し3次元で欠陥分布を計測する.また,低速陽電子ビーム,XPS,電気的特性評価等により,TiN/SiO_2/Si, HfSiO_x/Si, CVD-SiO_2,熱酸化SiO_2を評価することによりこれらの欠陥と電気的特性の関係を探る.加えて,Cu/low-k配線構造を有する試料についてlow-kとメタルバリアの反応を解明する.
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[Journal Article] Reversible and Irreversible Degradation Attributing to Oxygen Vacancy in HfSiON Gate Films During Electrical Stress Application2009
Author(s)
R. Hasunuma, C. Tamura, T. Nomura, Y. Kikuchi, K. Ohmori, M. Sato, A. Uedono, T. Chikyow, K. Shiraishi, K. Yamada, K. Yamabe
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Journal Title
Proc. IEEE Int. Electron Device Meeting (IEDM)
Pages: 131-134
Peer Reviewed
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