2008 Fiscal Year Annual Research Report
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19360322
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
JUODKAZIS Saulius Hokkaido University, 電子科学研究所, 准教授 (80332823)
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| Keywords | プラズマ処理 / レーザー加工 |
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| Research Abstract |
本年度においては、昨年度に続きサファイアなどの固体基板にフェムト秒レーザー光の集光照射することによって形成される改質の形成メカニズムを解析するとともに、新たにolivine、silica-titaniaresistについても改質部位の解析を行った。サンプル基板内部に波長800nm、繰り返し周波数1kHzの再生増幅型チタンサファイアレーザーを対物レンズを用いて集光照射することで基板材料の改質を誘起し、改質部位の詳細な結晶状態をシンクロトロン光を利用したX線回折(Spring-8及びArgonne Photon Source(アメリカ合衆国))によって解析した。サファイア基板内部の改質領域の回折パターンを詳細に解析した結果、改質領域ではアモルファス及びポリクリスタルの状態が形成されていることが明らかとなった。これはレーザー光の集光照射によって実現される「超高圧・高温状態」が誘起する結晶構造の改質メカニズムを解明する上で極めて重要な知見である。また、改質された微小領域の形状を解析するための偏光顕微鏡システムの構築を行った。構築したシステムの有用性を確認するため、水中に分散した放射状の分子配向を有する液晶液滴をレーザートラッピングにより捕捉し、液滴を透過した光の偏光特性を解析した結果、液滴内部の配向状態を観測することに成功した。次年度は本システムを用いてサファイア等の固体基板内部に形成された改質部位の形状を詳細に解析する。
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Research Products
(21 results)
