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2008 Fiscal Year Final Research Report

Development of particle detector with radiation hardness using wide-gap nitride semiconductor

Research Project

  • PDF
Project/Area Number 19540254
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Research Field Particle/Nuclear/Cosmic ray/Astro physics
Research InstitutionIwate University

Principal Investigator

NARITA Shinya  Iwate University, 工学部, 准教授 (80322965)

Project Period (FY) 2007 – 2008
Keywords半導体検出器 / 放射線計測 / 窒化物半導体 / 放射線耐性
Research Abstract

本研究では、将来の素粒子実験分野での実用の観点から、放射線損傷に対して高い耐性を持つと考えられているワイドギャップ窒化物半導体を用いた放射線検出器開発を行った。代表的な窒化物半導体であるGaN、AlGaNおよびInGaN材料を用いて、検出器の基本素子となるダイオードを作製し、その性能を評価した。その結果、ワイドギャップ半導体の特徴である高温での安定動作が確認された。さらにGaN ダイオードにおいて重荷電粒子の検出に成功した。また、素子に陽子線を入射して放射線耐性を調査したところ、10^16p/cm^2程度の高フルエンスに対しても、極端な性能劣化は見られず、同材料の高放射線耐性が実証された。

  • Research Products

    (6 results)

All 2008 2007

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (3 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Test of Radiation Hardness for GaN diode2008

    • Author(s)
      S.Narita, Y.Yamaguchi, Y.Chiba, Y.Sakemi, M.Itoh, H.Yoshida, and J.Kasagi
    • Journal Title

      CYRIC ANNUAL REPORT

      Pages: 14-17

  • [Journal Article] Radiation Hardness Test of GaN Diode for Irradiation with High Energy Electron Beam2008

    • Author(s)
      S.Narita, Y.Yamaguchi, Y.Chiba, H.Yuki, H.Hinode, and J.Kasagi
    • Journal Title

      Research Report of Laboratory of Nuclear Science Vol.40

      Pages: 31-35

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Performance of GaN Ionizing Detector and Its Radiation Hardness2008

    • Author(s)
      S.Narita, Y.Chiba, D.Ichinose, T.Hitora, E.Yamaguchi, Y.Sakemi, M.Itoh, H.Yoshida, J.Kasagi
    • Organizer
      16th Int. Workshop on Room Temperature Semiconductor X- and Gamma-Ray Detectors
    • Place of Presentation
      Dresden, Germany
    • Year and Date
      2008-10-23
  • [Presentation] III族窒化物半導体素子の特性測定と放射線耐性評価2008

    • Author(s)
      千葉祐宜、成田晋也、一瀬大介、山田弘、人羅俊美、山口栄一、酒見康寛、伊藤正俊、吉田英智、笠木次郎太
    • Organizer
      平成20年度電気関係学会東北支部連合大会
    • Place of Presentation
      日本大学
    • Year and Date
      2008-08-21
  • [Presentation] 窒化ガリウム荷電粒子検出器の特性測定2007

    • Author(s)
      山口裕介、人羅俊実、足利義徳、更田誠、山口栄一、山田省二、笠木治郎太、結城秀行、日出富士雄、成田晋也、山田弘、千葉祐宜
    • Organizer
      平成19年度電気関係学会東北支部連合大会
    • Place of Presentation
      弘前大学
    • Year and Date
      2007-08-23
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 窒化ガリウム系半導体を用いた荷電粒子検出器2008

    • Inventor(s)
      成田晋也、山口栄一、人羅俊実
    • Industrial Property Rights Holder
      岩手大学、同志社大学、ALGAN
    • Industrial Property Number
      特許, 特願2008-231794
    • Filing Date
      2008-09-10

URL: 

Published: 2010-06-10   Modified: 2016-04-21  

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