2009 Fiscal Year Self-evaluation Report
Development of hole-doped molecule-based conductors
| Project/Area Number |
19550023
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Physical chemistry
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| Research Institution | University of Hyogo |
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Principal Investigator |
AKUTSU Hiroki University of Hyogo, 大学院・物質理学研究科, 助教 (80316033)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2010
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| Keywords | 結晶構造 / 有機伝導体 / 機能性有機材料 |
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| Research Abstract |
弱い電子受容性を有するアニオン(AA)を作成し、それを対イオンとするドナー(D)・アニオン(A)型電荷移動(CT)塩を作成したとき、得られた錯体の中でAAがもし1よりずっと小さな電荷xを受け取った場合、AAがモノアニオンであればAAは全体で-(1+x)の電荷を有することになる。この時、チャージバランスにより、伝導層を形成しているドナー層にこのx分だけホールが部分的にドープ型分子性伝導体が実現するはずである。同様に弱い電子供与性を有するアニオン(DA)を用いた場合は、電子ドープ型分子性伝導体が実現するはずである。部分ドープが実現すれば、伝導性の向上や超伝導の発現などが期待できる。
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