2008 Fiscal Year Final Research Report

Growth of GaN thin film and fabrication of vertical light emitting diode using CrN nano-crystalline buffer layer

Research Project

Project/Area Number	19560008
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Research Field	Applied materials science/Crystal engineering
Research Institution	Tohoku University
Principal Investigator	HANADA Takashi Tohoku University, 金属材料研究所, 助教 (80211481)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	HANADA Takashi 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (80211481)
Project Period (FY)	2007 – 2008
Keywords	薄膜成長 / 光素子 / 窒化物半導体
Research Abstract	サファイヤc面基板上に高品質GaNを成長するためCrNバッファ層を導入した。CrN層は過塩素酸ベースの混合溶液で選択的に化学エッチングされ、GaN自立膜を基板からケミカルリフトオフ(CLO)できた。CLOプロセスによるダメージの導入はなく、縦型GaN-LEDを作製し電流注入発光を観測した。CLOにより複数基板からのLED剥離は一括処理でき、基板は再利用できるため、従来のGaN-LED作製法に比べ大幅なコスト低減が可能となる。