Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
密度汎関数理論に基づく第一原理電子状態計算を用いて、La酸化物超薄膜単体およびLa酸化物とSi基板界面における原子レベル誘電特性、電子状態計算を行った。La酸化物表面においては、表面緩和により誘電率が著しく低下することがわかった。また、界面におけるバンドオフセットは、界面原子配列の詳細に大きく依存することがわかった。
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