2008 Fiscal Year Final Research Report

Development of carrier separation technique by conductive atomic force microscopy

Research Project

Project/Area Number	19560022
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Research Field	Thin film/Surface and interfacial physical properties
Research Institution	Nagoya University
Principal Investigator	SAKASHITA Mitsuo Nagoya University, 大学院・工学研究科, 助教 (30225792)
Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha)	SAKAI Akira 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (20314031)
Project Period (FY)	2007 – 2008
Keywords	C-AFM / キャリアセパレーション / ゲート絶縁膜 / MOSFET
Research Abstract	集積回路の基本素子であるMOSFETのゲート絶縁膜の劣化機構を解明するために、C-AFMによるキャリアセパレーション測定を可能とする手法の提案を行い、その測定技術の確立を目的に本研究を行った。本手法で用いる観察試料の設計および作製を行い、その観察試料の評価結果から、良好な電流-電圧特性を得ることができた。しかしながら、C-AFM観察では変位検出のためのレーザー光の漏れが観察試料に照射され、光励起電流によって観察電流が測定できず、本手法の実現には光が全く照射されない環境でのC-AFM観察が重要であることが明らかとなった。