2007 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
19560030
|
|---|
| Research Institution | Japan Atomic Energy Agency |
|---|
Principal Investigator |
高橋 正光 Japan Atomic Energy Agency, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹 (00354986)
|
|---|
| Keywords | 結晶成長 / 放射線、X線、粒子線 / MBE、エピタキシャル |
|---|
| Research Abstract |
本研究は、第三世代放射光X線を用いたX線回折法・強度ゆらぎ分光法を用い、化合物半導体の分子線エピタキシー成長中に見られる動的現象を解析することを最終的な目的としている。本年度は、そのためにまず、アバランシェ・フォトダイオード検出器・ピンホールなどの測定システムの整備をおこない、性能をチェックした。10keVのX線に対して、約20%の量子効率で、少なくとも0.5MHzの速さまでの光子の計数ができることを確認した。これはマイクロ秒以上の時間スケールをもつ動的現象の測定が可能であることを意味している。次に、Ga
|
