2008 Fiscal Year Final Research Report
Synthesis of isotopically enriched film for boron nitride using double-pulsed laser deposition
| Project/Area Number |
19560053
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied physics, general
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| Research Institution | Japan Atomic Energy Agency |
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Principal Investigator |
OHBA Hironori Japan Atomic Energy Agency, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹 (60354817)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
YOKOYAMA Atsushi 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主席 (20354821)
SAEKI Morihisa 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹 (30370399)
YAMAMOTO Hiroyuki 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (30354822)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | レーザーアブレーション / プラズマ / ダブルパルス / 窒化ホウ素 / 同位体濃縮 |
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| Research Abstract |
パルスレーザー照射による窒化ホウ素薄膜の堆積において、複数のレーザー光を用いて照射タイミングを変えることによりホウ素および窒素のイオン生成量と価数を制御できることが見出された。この結果に基づいて、生成したイオンのエネルギーを選別し、これらイオンの軌道を制御して基板に蒸着させる成膜を試みた。イオン蒸着の結果、ターゲット材料からの化学組成ずれのほとんどない窒化ホウ素薄膜を作製できることが明らかになった。
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