2007 Fiscal Year Annual Research Report
液晶バックライトの発光効率向上と低電圧化の基礎研究
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19560303
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| Research Institution | Kanagawa Institute of Technology |
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Principal Investigator |
荒井 俊彦 Kanagawa Institute of Technology, 工学部, 教授 (60130796)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
後藤 みき 神奈川工科大学, 工学部, 講師 (70195949)
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| Keywords | 光源技術 / ディスプレイ / 液晶バックライト / ネオンプラズマ / 冷陰極 / Mg0薄膜 / 放電開始電圧 / 二次電子放出係数 |
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| Research Abstract |
本研究は液晶バックライト用無水銀蛍光ランプの高輝度化に向けて、耐スパッタ性電極の高電子放出化と真空紫外発光の高効率化を目的としている。特にダイヤモンド膜とMgO膜を用いた複合電極の可能性と真空紫外発光について検討することが主たる目標である。本年度はMgO薄膜の堆積条件を変えて作製したMgO薄膜電極と二次電子放出係数γ値との関係を検討した。サンプル電極としてのMgO薄膜の作製に使用したRFマグネトロンスパッタリング装置は、アノード直径40mm、カソード直径80mm電極間距離50mmである。ターゲットにはMgO焼結体、基板には石英ガラス板(10mm角、厚さ0.3mm)を使用した。成膜条件はRF100W、ガス圧力0,5Pa、ガス流量5sccm一定とした。スパッタリングに用いたガスはAr/O_2混合ガスを使用した。電極用サンプルの膜厚は500nmとした。放電開始電圧はVQリサジュー図形法を用いて測定した。Neガス放電中でAr/O_2混合比を変化させて形成したMgO薄膜電極について放電開始電圧とpd(ガス圧力×電極間距離)値との関係(パッシェン曲線)を測定した。この放電開始電圧を用いてタウンゼントの火花条件式により、二次電子放出係数(γ値)を決定した。この結果、Arに20%O_2以上の混合ガスで成膜されたMgO電極のγ値はAr単ガスで成膜されたMgO電極のものより約2倍増加することがわかった。MgO薄膜断面をSEMで観測した結果、O_2添加により断面の柱状構造が明瞭になっていることがわかった。この高密度な柱状構造によりγ値が増加したものとみられる。
今後、目標としているMgOとダイヤモンドとの複合電極を用い、より低電圧化への可能性とNe/Xeプラズマ中の真空紫外発光強度の最適化を探る。
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