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2008 Fiscal Year Annual Research Report

ZnTe系材料を用いた高効率欠損領域LEDの開発

Research Project

Project/Area Number 19560318
Research InstitutionSaga University

Principal Investigator

西尾 光弘  Saga University, 理工学部, 教授 (60109220)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 小川 博司  佐賀大学, 名誉教授 (10039290)
郭 其新  佐賀大学, 理工学部, 教授 (60243995)
田中 徹  佐賀大学, 理工学部, 准教授 (20325591)
KeywordsZnTe系材料 / LED / 高効率欠損波長領域
Research Abstract

本研究ではZnTe系材料によるLEDの高輝度化のために、主として、エピタキシャル成長用Zn_<1-x>Mg_xTe基板の品質向上、Zn_<1-x>Mg_xTeエピタキシャル膜の平坦化、高品質化並びに拡散制御層のナノレベル制御などの項目について前年度の成果を発展させた。本年度で得られた主たる成果の概要は、以下の通りである。
1.エピタキシャル成長用Zn_<l-x>Mg_xTe基板の品質向上:x線ロッキング曲線の半値全幅が60arcsec程度の良好なエピタキシャル成長用基板Zn_<1-x>Mg_xTeを作製でき、前年度よりも結晶品質が向上できた。また、種々のMg組成xに対してドープしたPのアクセプタ準位などを決定し、材料設計のための有用なデータを明らかにできた。
2.エピタキシャル成長膜Zn_<1-x>Mg_xTeの平坦化、高品質化:前年度を発展させて、種々のMg組成xに対してドーピング量、アニール処理条件の最適化により高キャリア密度や発光効率向上が達成された。また、成長条件の探求およびコヒーレント成長に対応する膜厚レベルの達成により、良好な物性を有しかつ平滑なエピタキシャル成長膜を実現し、ダブルヘテロ構造を作製できた。
3.拡散制御層のナノレベル制御と発光メカニズムに着眼したLEDの性能向上
拡散制御層の材料をも考慮して拡散制御層の作製条件とLEDの諸特性との関係を検討した。更に、LED諸特性の実験データを用いてLEDの発光メカニズムを検討することにより、良質なn形層を得るために必要なエピタキシャル成長膜中の拡散濃度を把握すると共にその制御技術が確立できた。また、2で作製したダブルヘテロ構造を用いたLEDの作製も試み、基本特性が掌握できた。

  • Research Products

    (16 results)

All 2009 2008 Other

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results) Presentation (9 results) Book (2 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] ZnTe based light emitting diodes fabricated by solid-state diffusion of Al through an Al oxide layer2009

    • Author(s)
      Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics 48

      Pages: 022203-1,022203-5

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Fabrication of a ZnTe light emitting diode by Al thermal diffusion into a p-ZnTe epitaxial layer on a p-ZnMgTe substrate2009

    • Author(s)
      Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa
    • Journal Title

      Journal of Materials Science : Materials in Electronics 20

      Pages: S505-S509

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Post-annealing effect upon electrical and optical properties of MOVPE grown P-doped ZnTe homoepitaxial layers2009

    • Author(s)
      Katsuhiko Saito, Kouji Yamaguchi, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa
    • Journal Title

      Journal of Materials Science : Materials in Electronics 20

      Pages: S264-S267

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Fabrication of ZnTe Light Emitting Diode by Al Thermal Diffusion through Surface Oxidation Layer2009

    • Author(s)
      Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics 47

      Pages: 8408-8410

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Al熱拡散法によるZnTe緑色LEDの作製と評価2009

    • Author(s)
      田中徹, 伊藤博昭, 吉本拓史, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
    • Organizer
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-30
  • [Presentation] Influence of precursor transport rate upon the optical and electrical properties of P-ZnTe homoepilayer grown by MOVPE system2008

    • Author(s)
      Xiuxun Han,Yuuki Kuramitsu, Tooru Tanaka, Qixin Guo, Mitsushiro Nishio
    • Organizer
      The 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-4)
    • Place of Presentation
      Matsue
    • Year and Date
      20081028-31
  • [Presentation] ブリッジマン法で作製した高品質PドープZnMgTe結晶のフォトルミネッセンス特性2008

    • Author(s)
      島尾聡, 田中昌彦, 斉藤勝彦, 田中徹,郭其新, 中畑秀利, 西尾光弘
    • Organizer
      平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • Place of Presentation
      宮崎大学
    • Year and Date
      2008-11-30
  • [Presentation] MOVPE法によるGaAs基板上ZnTeエピタキシャル膜の作製と評価2008

    • Author(s)
      末安祐介, 中尾勇貴, 角口芳樹, 田中徹,西尾光弘, 郭其新
    • Organizer
      平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • Place of Presentation
      宮崎大学
    • Year and Date
      2008-11-30
  • [Presentation] MOVPE法によるサファイア基板上のZnTeエピタキシャル成長膜の構造特性2008

    • Author(s)
      中尾勇貴, 末安祐介, 角口芳樹, 灘真輝,田中徹, 西尾光弘, 郭其新
    • Organizer
      平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • Place of Presentation
      宮崎大学
    • Year and Date
      2008-11-30
  • [Presentation] サファイア基板上ZnTeエピタキシャル成長膜のアニール効果2008

    • Author(s)
      角口芳樹, 末安祐介, 中尾勇貴, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
    • Organizer
      平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • Place of Presentation
      宮崎大学
    • Year and Date
      2008-11-30
  • [Presentation] PドープZnl-xMgxTeエピタキシャル膜の電気的光学的性質に及ぼすアニーリング効果2008

    • Author(s)
      井上祐輔, 野中直樹, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
    • Organizer
      平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • Place of Presentation
      宮崎大学
    • Year and Date
      2008-11-30
  • [Presentation] Al酸化膜を用いたAl熱拡散法によるZnTe-LEDの作製2008

    • Author(s)
      伊藤博昭・田中徹・郭其新・西尾光弘
    • Organizer
      平成20年第61回電気関係学会九州支部連合大会
    • Place of Presentation
      大分大学
    • Year and Date
      2008-09-24
  • [Presentation] 有機金属気相成長法によるZnl-xMgxTeへのドーピング2008

    • Author(s)
      野中直樹, 井上祐輔, 斉藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
    • Organizer
      平成20年第61回電気関係学会九州支部連合大会
    • Place of Presentation
      大分大学
    • Year and Date
      2008-09-24
  • [Book] 月刊機能材料2009

    • Author(s)
      田中徹, 他(分担執筆)
    • Total Pages
      87
    • Publisher
      シーエムシー出版
  • [Book] 2009化合物半導体技術大全2009

    • Author(s)
      田中徹, 他(分担執筆)
    • Total Pages
      324
    • Publisher
      株式会社電子ジャーナル
  • [Remarks]

    • URL

      http://www.sc.ec.saga-u.ac.jp/

URL: 

Published: 2010-06-11   Modified: 2016-04-21  

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