2008 Fiscal Year Final Research Report
Establishment of doping technique of amorphous carbon thin films for application to electronic devices
Project/Area Number |
19560319
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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Research Institution | University of the Ryukyus |
Principal Investigator |
HIGA Akira University of the Ryukyus, 工学部, 教授 (50228699)
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Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
YAMAZATO Masaaki 琉球大学, 工学部, 准教授 (10322299)
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Project Period (FY) |
2007 – 2008
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Keywords | アモルファス炭素薄膜 / 化学ドーピング / ヨウ素ドーピング |
Research Abstract |
アモルファス炭素薄膜(以下,a-C:H 薄膜と呼ぶ)の電子デバイス応用を実現するためには,a-C:H 薄膜の伝導度制御が必要不可欠である.本研究では,この伝導度制御を行うために化学ドーピング法によるヨウ素ドーピングを行った.本手法によるドーピング効果は,a-C:H 薄膜の膜構造に強く依存すること,また,ドーピングすることによって,薄膜の光学ギャップエネルギーや電気抵抗率が制御可能であることが明らかになり,電子デバイス応用のためのドーピング技術確立に対する重要な知見が得られた.
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Research Products
(7 results)