2008 Fiscal Year Final Research Report
Crystal growth of nitride semiconductors by electric field enhanced MOCVD
| Project/Area Number |
19560321
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Tokai University |
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Principal Investigator |
INUSHIMA Takashi Tokai University, 工学部, 教授 (20266381)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | 電気 / 電子材料 |
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| Research Abstract |
ナイトライド半導体AlNとInNの結晶作成時と降温時に結晶c-軸方向に高電界を印加して結晶の分極方向を制御することを試みた。MOCVD装置内に設置した石英製インナー管の基板上部3ミリの位置に上部Mo電極を配し、結晶を成長させるMoサセプタを下部電極としてこの両電極間に1kV/cmの電界を印加した。AlNでは明確な電界効果が観測され、電界の方向にそろった単一ドメイン構造結晶を得たが、InNについては明確な効果は観測されなかった。
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