2008 Fiscal Year Final Research Report

Development of ultra-low energy ion implantation of silicon for ultra-shallow junction

Research Project

Project/Area Number	19560330
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Research Field	Electronic materials/Electric materials
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	YAMAMOTO Kazuhiro National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 計測フロンティア研究部門, 主任研究員 (90358292)
Project Period (FY)	2007 – 2008
Keywords	イオン注入 / シリコン / ボロン / 超低エネルギー / 極浅接合
Research Abstract	シリコン半導体デバイスの高集積化に伴い2014年にはチャネル部分のド.パント層の厚さはおよそ10nmになるとされている。従来の高エネルギーイオン注入法では極浅ドーピン部層の形成が困難であった。本研究では1keV以下の超低エネルギーイオン注入技術を開発した。シート抵抗は最小値3kΩ/□を示し、イオンエネルギーが30eVのときの注入深さは1.2nm、500eVのときの注入深さは8nmであった。

(5 results)