2007 Fiscal Year Annual Research Report
Geチャネルデバイスのための浅接合形成と素子分離に関する研究
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19560344
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
芝原 健太郎 Hiroshima University, ナノデバイス・システム研究センター, 准教授 (50274139)
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| Keywords | ゲルマニュウム / 浅接合 / プレアモルファス化 / キセノン |
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| Research Abstract |
本年度はGeの浅接合形成の第一歩として、XeによるPAI(Preamorphization Implantation,プレアモルファス化注入)の併用法を試みた。GeへXeのイオン注入を行うと、他の重イオン注入と比べて平坦なアモルファスGe層が得られる。しかし、a-Ge層にはバブルと呼ばれる大きさ8nm程度の注入欠陥が生じた。ドーズ量を低減したXe注入を行うことで、バブルの発生を抑制することは可能で、Xe注入条件としてエネルギー30keV、ドーズ1x10^<14>cm^<-2>が適切であることが分かった。XeのPAIを行った試料に更にドーパントであるAsを注入しRTA(Rapid Thermal Annealing,ハロゲンランプを用いた加熱法)で活性化アニールを施した。この結果、Xe PAIを行ったサンプルは活性化アニール後の接合深さが浅く、Xe PAIがAsの拡散を抑制することが分かった。この原因はXeクラスタにAsが捕獲されるためと推測している。また、当然のことであるがXe PAIを施すとAsのチャネリングが低減できており、用いない場合に比べ浅い注入プロファイルが得られている。しかし、RTA後のシート抵抗測定結果では、Xe PAIを行ったサンプルは総じてシート抵抗が高く、Xe PAIがAsの活性化も阻害していると考えられる。このため今後は、ドーパントの活性化に影響しない、他のイオン種を用いたPAIの併用を試みる。
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Research Products
(1 results)
