Geチャネルデバイスのための浅接合形成と素子分離に関する研究

2008 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 19560344
• Research Institution: Hiroshima University
• Principal Investigator: 芝原 健太郎 Hiroshima University, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (50274139)
• Keywords: ゲルマニウム / プレアモルファス化 / 淺接合 / キセノン

Research Abstract

昨年度はXeを用いたプレアモルファス化を行った。Xeによるプレアモルファス化で、ドーパント(As)の拡散を抑制できるものの、Xeがアモルファス化層の再結晶やドーパントの活性化に悪影響を与えることが判明した。希ガスがこのような振る舞いをすることはSiでも知られておりこれまでに用いてきた、Xe注入を用いたプレアモルファス化に加えて、Geの注入を用いた実験を行った。それに加えて短時間、高温アニールの導入が不可欠であると考え、Xeフラッシュランプアニールを用いたミリ秒オーダのアニールで浅接合形成を行った。GeはSiよりも狭いバンドギャップを有するため、Xeランプの発光帯のほとんどがnmオーダーの浅い領域で吸収され、浅接合形成に適した表面付近のみ加熱が可能と考えた。プレアモルファス化とフラッシュランプアニールの効果を区別するため、プレアモルファス化を施さないもの、Xeでプレアモルファス化したもの、Geでプレアモルファス化したもので比較を行った。ドーパントにはAsを用いた。その結果、Asの深さ方向プロファイルは1ミリ秒のフラッシュランプアニールでは全てのケースでほとんど変化が無く、ミリ秒アニールの有用性が明らかであった。一方、シート抵抗はプレアモルファス化を行ったもので高く、固相成長の減速がその原因であった。結果として最も浅く・低シート抵抗の接合が形成できたのはプレアモルファス化を用いない場合であった。