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2008 Fiscal Year Annual Research Report

半導体量子ナノ構造を用いた超高感度テラヘルツ波計測技術の開発

Research Project

Project/Area Number 19560361
Research InstitutionOsaka Institute of Technology

Principal Investigator

前元 利彦  Osaka Institute of Technology, 工学部, 准教授 (80280072)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 井上 正崇  大阪工業大学, 工学部, 教授 (20029325)
佐々 誠彦  大阪工業大学, 工学部, 教授 (50278561)
Keywordsバリスティック / 整流デバイス / InAs / AIGaSbヘテロ構造 / 整流効果 / 量子細線 / 3分岐構造 / 磁気抵抗 / 回路応用
Research Abstract

電子のバリスティック伝導によって生じる非線形な電気特性を利用した新しい原理の電子デバイスを開発するために、InAs/AIGaSbヘテロ構造を用いてバリスティック整流デバイスを作製して幅広い温度範囲で電気・磁気特性の評価を行った。
4.2K、77Kで明瞭な整流特性が観測され、平均自由行程が500nm程度の室温においても整流効果の観測に成功した。また、十字構造で左右の量子細線構造を上下の端子に対して斜めに配置し、中央に入射する電子自身を下の端子に直接出斜されるような構造でデバイスの微細化を試みた結果、この構造を用いたデバイスにおいても極低温から室温に至る広い温度範囲で整流特性の観測に成功した。整流特性を解析するために、Landauer-Buttikerの式を用いたモデルと比較を行った結果、デバイスの中心部分でバリスティック性が保たれるという仮定で測定結果と良い一致を得た。斜めに量子細線型構造を配置した微細化デバイスでは、磁場を印加した状態で整流特性を評価することで構造内のバリスティック電子の状態について新しい知見を得た。
さらなる高性能化のために、量子細線をT字型に接合した量子細線3分岐構造(Three-terminal Ballistic Junction:TBJ)の試作と評価も行った。TBJでは基準電位が存在することから、回路応用の観点でバリスティック整流デバイスよりも有用である。InAs/AIGaSb系TBJにおいても、明瞭な整流特性が観測され、温度依存性や素子サイズ依存性からバリスティック伝導がより支配的な状態で強い整流特性が得られることが分った。またTBJにおけるパルス入力に対する応答特性を評価したところ、InAs/AIGaSb系TBJではGaAs/AIGaAs系TBJと比較して約1桁高い周波数での動作を確認し、高速動作の可能性を示した。

  • Research Products

    (7 results)

All 2009 2008

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (3 results)

  • [Journal Article] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields2009

    • Author(s)
      M. Kovama, K. Fujiwara, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. lnoue
    • Journal Title

      phys. stat. sol. (c) (印刷中)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in InAs/AIGaSb Ballistic Devices2008

    • Author(s)
      M. Kovama, T. lnoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. lnoue
    • Journal Title

      phys. stat. sol. (c) 5

      Pages: 107-110

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] InAs/AlGaSb HEMTs with Al_2O_3 and HfO_2 Gate Insulators2008

    • Author(s)
      K. Fuiiwara, N, Amano, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • Journal Title

      Proc. of the 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

      Pages: 73-74

  • [Journal Article] Nonlinear Electron Transport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions2008

    • Author(s)
      M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue
    • Journal Title

      J. of Physics : Conf. Ser. 109

      Pages: 012023

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Electron transport properties in InAs four-terminal ballistic junctions under weak magnetic fields2008

    • Author(s)
      M. Koyama, K. Fujiwara, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Lnoue
    • Organizer
      34th International Symposium on Compound Semiconductors
    • Place of Presentation
      Rust, Germany
    • Year and Date
      2008-09-23
  • [Presentation] 高誘電率材料を用いたInAs/AIGaSb HEMTの作製と評価2008

    • Author(s)
      藤原健司, 塩路真広, 天野直樹, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦, 井上正崇
    • Organizer
      2008年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学
    • Year and Date
      2008-09-04
  • [Presentation] InAs/AlGaSb HEMTs with Al_2O_3 and HfO_2 Gate Insulators2008

    • Author(s)
      K. Fujiwara, N, Amano, M. Koyama, T.Maemoto, S. Sasa, and M. Inoue
    • Organizer
      2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • Place of Presentation
      大阪大学中ノ島センター
    • Year and Date
      2008-05-02

URL: 

Published: 2010-06-11   Modified: 2016-04-21  

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