Research of homoepitaxial growth of zinc oxide film using liquid beta-diketons of metal organic material

2008 Fiscal Year Final Research Report

• Project/Area Number: 19656013
• Research Category: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Thin film/Surface and interfacial physical properties
• Research Institution: Sendai National College of Technology
• Principal Investigator: HAGA Koichi 仙台電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授 (30270200)
• Project Period (FY): 2007 – 2008
• Keywords: 酸化亜鉛 / 薄膜 / ベータジケトン系原料 / エピタキシャル成長 / 酸化亜鉛基板

Outline of Final Research Achievements

酸化亜鉛(ZnO)薄膜のホモエピタキシャル成長は有機金属気相成長(MO-CVD)法を適用し、そのZn原料としてベータジケトン材料であるZn(C_9H_<15>O_3)_2を使用した。また、堆積基板に使用したZnO表面の平坦性及び清浄化を得るために、高温熱処理及びArイオンエッチングを行った。
エピ成長したZnO薄膜は極めて平坦性と結晶性が優れていたが、Zn(C_9H_<15>O_3)_2原料が経時変化しやすく、薄膜物性値の再現性を得ることが非常に難しい結果となった。

Free Research Field

工学