2007 Fiscal Year Annual Research Report
間葉系幹細胞の一過性Notch発現制御による神怒細胞分化誘導の研究
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19659056
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
永富 良一 Tohoku University, 大学院・医学系研究科, 教授 (20208028)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
坪川 宏 東北大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (30227467)
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| Keywords | 間葉系幹細胞 / Notch / siRNA / MAP2 / Tuj1 / 電気刺激 / NMDA受容体 / Caチャネル |
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| Research Abstract |
間葉系幹細胞のNotchのsiRNAによる一過性抑制を行うと細胞の形態が変化し、神経突起の形成がみられ神経細胞マーカーMAP2およびTuj1陽性となった。しかしパッチクランプ法で活動電位の観察を試みたが、誘発されなかった。電位依存性Caチャネルは存在するものの、Naチャネルが誘導されないことが活動電位が出現しない理由の一つであることが示唆された。
一方、間葉系幹細胞には非興奮性細胞であっても電位依存性Caチャネルが発現していることから、電気刺激を行い、電気刺激による神経細胞マーカーの発現や形態の変化が誘導されるかどうかを試みた。その結果、中枢神経特異的グルタミン酸NMDA受容体mRNAが電気刺激によって誘導されることが明らかになった(Tohoku J Exp Medに掲載予定)。NMDA受容体mRNAの発現はCaチャネル遮断薬を投与しておくと発現が抑制され、Ca依存性に発現していることが明らかになった。
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