2009 Fiscal Year Self-evaluation Report
Explanation of reaction layer fatigue in silicon microstrucure for development of highly-reliable MEMS devices
| Project/Area Number |
19676002
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (S)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Research Field |
Materials/Mechanics of materials
|
|---|
| Research Institution | Kyoto University |
|---|
Principal Investigator |
TSUCHIYA Toshiyuki Kyoto University, 大学院・工学研究科, 准教授 (60378792)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2007 – 2011
|
| Keywords | シリコン / MEMS / 引張試験 / 疲労試験 / 酸化 / 信頼化 |
|---|
| Research Abstract |
本研究では、静電チャックを用いた薄膜引張試験方法による高温、高湿度などの様々な環境での引張疲労試験とデバイス構造を簡略化した静電駆動型振動子の共振振動疲労試験を用いて、シリコンの機械的材料としての信頼性を明らかにする。特に、信頼性が湿度に影響を受けることから表面の酸化に着目し、そのメカニズムを解明する。もって、実用化が進む微小電気機械システム(MEMS)デバイスに機械構造体として用いられるシリコンの機械的信頼性を明らかにし、より高信頼、高性能なMEMSの実現に寄与する。
|
