2008 Fiscal Year Annual Research Report
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19684010
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
組頭 広志 The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 准教授 (00345092)
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| Keywords | 光電子分光 / 強相関エレクトロニクス / 表面・界面物性 / 強相関電子系 / 量子井戸 / 酸化物超構造 / 酸化物ヘテロ構造 / 酸化物薄膜 |
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| Research Abstract |
本研究では、レーザー分子線エピタキシー法により原子レベルで構造を制御した「強相関酸化物量子井戸構造」を作製し、その電子状態を光電子分光法により直接決定することで、新規な低次元電子状態をデザインすることにある。そのため、本年度は、立ち上げが終了し、現在稼働状態にある薄膜用5軸低温マニュピレーターを用いて、「酸化物超構造界面」で発現する新規な2次元電子状態にターゲットを絞って研究を行い、下記の成果を得た。
1. SrVO3(SVO)超薄膜の電子状態 : 最もシンプルな強相関電子系であるd1系SVOについて、その薄膜の電子状態における膜厚依存性を測定した。その結果、SVOは臨界膜厚4-5MLで金属-絶縁転移を示すことが明らかになった。この結果は、膜厚増加による2次元状態から3次元状態へのクロスオーバーに伴ったバンド幅の増加による金属-絶縁体転移と考えられる。
2. La1-xSrxMnO3薄膜のフェルミオロジー : 劈開性を持たないことから未だフェルミ面決定されていないMn系ペロブスカイト酸化物において、放射光を用いた高分解能角度分解光電子分光をおこない、3次元のフェルミ面を決定した。
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Research Products
(13 results)
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[Journal Article] Highly Reliable TaOX ReRAM and Direct Evidence of Redox Reaction Mechanism2008
Author(s)
Z. Wei, Y. Kanzawa, K. Arita, Y. Katoh, K. Kawai, S. Muraoka, S. Mitani, S. Fujii, K. Katayama, M. Iijima, T. Mikawa, T. Ninomiya, R. Miyanaga, Y. Kawashima, K. Tsuji, A. Himeno, T. Okada, R. Azumal, K. Shimakawa, H. Sugayal, T. Takagi, R. Yasuhara, K.Horiba, H. Kumigashira. and M. Oshima
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Journal Title
Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet(IEEE)
Pages: 293-295
Peer Reviewed
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[Journal Article] Electronic band structure of transparent conductor : Nb-doped anatase TiO22008
Author(s)
T. Hitosugi, H. Kamisaka, K. Yamashita, H. Nogawa, Y. Furubayashi, S. Nakao, N. Yamada, A. Chikamatsu, H. Kumigashira, M. Oshima, Y. Hirose, T. Shimada, and T. Hasegawa
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Journal Title
Appl. Phys. Express 1
Pages: 111203(1-3)
Peer Reviewed
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