2009 Fiscal Year Self-evaluation Report
Development and application of new kinetic theory for thermal oxidation of silicon replacing the Deal-Grove model
| Project/Area Number |
19686005
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Waseda University |
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Principal Investigator |
WATANABE Takanobu Waseda University, 理工学術院, 准教授 (00367153)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2010
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| Keywords | 表面・界面 / 電気・電子材料 / ナノ構造形成・制御 / 分子動力学法 / 並列計算 |
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| Research Abstract |
40年来の定説となっていたDeal-Grove理論に代わる、シリコン熱酸化の新しい運動理論を構築する。研究代表者が見出した乾燥酸素雰囲気中のシリコン熱酸化モデルを拡張し、様々な実験条件下の酸化プロセスに適用できるようにする。また、分子動力学法による熱酸化プロセスシミュレータを開発し、初期増速酸化現象やパターン依存酸化現象など、ナノスケールシリコン構造体の複雑な酸化プロセスを正確に予測する技術を開発する。実際に加工されている寸法に近いシリコンナノ構造体の酸化シミュレーションを実現するため、シリコン・酸素混在系用の並列分子動力学計算プログラムを開発する。
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