2008 Fiscal Year Final Research Report
Tunneling transistors with transition-metal oxide base layers
| Project/Area Number |
19740197
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Research Field |
Condensed matter physics II
|
|---|
| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
SUSAKI Tomofumi Tokyo Institute of Technology, 応用セラミックス研究所, 准教授 (20332265)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2007 – 2008
|
| Keywords | 酸化物エレクトロニクス / 二次元系 / 結晶成長 / 強相関電子系 / 低次元系 |
|---|
| Research Abstract |
研究成果の概要:遷移金属酸化物を用いたトンネルトランジスタの実現を目指し、チタン、バナジウム、マンガン酸化物などの酸化物薄膜をレーザーアブレーション法により精密に作製した。分極積層の効果を利用した界面における局所的なホールドープに成功し、広く研究されているバンド絶縁体に加え、モット絶縁体への局所的ドープが可能であることを示した。さらにショットキー接合における負性抵抗実現、ダイオードの極性の温度による反転などの特異な現象を見出した。
|
