2008 Fiscal Year Final Research Report
Si-based light emitting device based on Ge dots in photonic crystal microcavities
| Project/Area Number |
19760037
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied optics/Quantum optical engineering
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| Research Institution | Musashi Institute of Technology |
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Principal Investigator |
XIA Jinsong Musashi Institute of Technology, 総合研究所, 助手 (00434184)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | Ge quantum dots / photonic crystals / Si-based light emitting devices / microcavity / photoluminescence |
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| Research Abstract |
私達の研究において、異なる微小共振器を使用し、内部で共振させることによりGe量子ドットからの発光を増加させた。Geドットを有するSiフォトニック結晶共振器をSOI(Silicon-on-insulator)基板上に作製し,室温にて波長1.2〜1.6μmの領域に強く鋭い共振ピークを得ることができた。私達は電流注入型の微小共振器の作製に成功しました。4Vを印加した時のスペクトルで、ブロードなF-Pモードといくつもの鋭いピークが重なり合った発光が得られた。
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