2008 Fiscal Year Final Research Report
Metal-Insulator transition devices made of organic Mott insulator
| Project/Area Number |
19760211
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Chiba University |
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Principal Investigator |
SAKAI Masatoshi Chiba University, 大学院工学研究科, 助教 (60332219)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | 強相関電子系 / 分子性固体 / モット絶縁体 / 先端機能デバイス / 金属絶縁体転移 |
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| Research Abstract |
電子相関が電子物性を支配する有機モット絶縁体を用いて電界効果トランジスタ構造を形成し、ゲート電界による物性制御とそのデバイス特性の研究を行った。ゲート電界により誘起される電子・正孔の電界効果移動度の温度依存性をそれぞれ明らかにした。従来より知られていたバルクの金属絶縁体転移は、電子移動度の温度依存性により説明されることが明らかとなった。また、280K および250K 付近で、従来知られていなかった相転移が観測された。また、キャリアドープによるデバイス特性の変化を明らかにした。
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