2008 Fiscal Year Final Research Report
Formation and characterization of La2O3 gate dielectrics formed using by metalorganic CVD
| Project/Area Number |
19760219
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
MURAKAMI Hideki Hiroshima University, 大学院・先端物質科学研究科, 助教 (70314739)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | 有機金属錯体 / ゲート絶縁膜 |
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| Research Abstract |
La(TMOD)3を用いて、Pt層上にLa酸化膜を堆積し、XPSを用いて化学構造を評価した。La(TMOD)3とO2を同時供給した場合(O2分圧:〜60Pa)、La酸化膜厚は、基板温度の上昇および堆積時間の増加に伴い、増大する。O2の同時供給を行わず基板温度200℃でLa酸化膜を堆積した場合、供給時間に依らず、La酸化膜厚は一定であり、前駆体の飽和吸着が確認された。また、飽和吸着後、150℃以上のO2アニールにより、La酸化膜表面を終端しているCOxHyおよび膜中残留炭素の除去に有効であることが分かった。La(TMOD)3による飽和吸着とO2アニールを交互に繰り返すことで、原子層レベルでの膜厚制御が可能であることが示唆された。
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