2007 Fiscal Year Annual Research Report
多階調評価装置の開発と多階調デバイスの基礎特性解明
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19760223
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| Research Institution | Toyota National College of Technology |
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Principal Investigator |
高木 宏幸 Toyota National College of Technology, 電気・電子システム工学科, 助手 (40390463)
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| Keywords | 磁性 / 誘電体物性 / 電子・電気材料 |
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| Research Abstract |
圧電体によって発生する応力と磁気光学膜の逆磁歪効果で駆動する多階調変調光マイクロデバイスの研究を行った。本デバイスは圧電体に電圧を加え定常状態になった後ではリーク電流以外の電流を必要とせず応力状態を保てるため低消費電力駆動ができる。従来は2階調変調であったが、本方式を用いれば低消費電力で中間の階調を保持するための応力を加えることが出来、容易に中間の階調を得ることが出来る。
上記デバイスを実現するには応力の観点から構造設計の指針を得ることが重要である。特に多階調デバイスは特定の部分にのみ均一の応力を加えなくてはならない。3次元有限要素法を用いて構造変化による磁気光学膜に働く応力分布を求めた。結果として平均応力は電極構造および磁気光学膜と圧電膜の間の距離に依存し、隣接する画素への影響は画素間距離が影響することが分かった。以上を踏まえた新構造では、従来の構造において変調に起因する面内圧縮応力の体積割合が69%に対し、80%まで向上でき、より均一性が高い応力を磁気光学膜に加えることが出来た。続いてデバイスを評価するために多階調変調状態を2次元で定量的に評価できる装置の設計および開発を行った。特に偏光顕微鏡と直交偏光子法を用いて磁気光学膜の任意の1点の多階調変調状態を評価することができるようになった。
以上により多階調変調光デバイスの理論設計および評価装置が作製できた。これら結果を用いて来年度デバイスを実際に作製し多階調変調の基礎データ取得を試みる。
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[Presentation] 磁性フォトニック結晶ベースMOSLMの構造設計2007
Author(s)
高木宏幸,高橋一義,,水戸慎一郎,川西史晃,K. H. Chung, J. Heo, J. Kim, P. B. Lim, K. H. Shin, 井上光輝
Organizer
第31回日本応用磁気学会学術講演会
Place of Presentation
学習院大学
Year and Date
2007-09-11
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