Study of substrate bias effect on MOSFET variability

2008 Fiscal Year Final Research Report

• Project/Area Number: 19760230
• Research Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Electron device/Electronic equipment
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: AMAKAWA Shuhei Tokyo Institute of Technology, 統合研究院, 特任助教 (40431994)
• Project Period (FY): 2007 – 2008
• Keywords: 高周波測定

Research Abstract

高周波において基板バイアスがMOSFETの特性におよぼす影響を調べるための基礎技術として、4ポートのde-embedding技術の開発をおこなった。OPEN、SHORTなどのダミーパターンを利用した方法だと、誤差が大きいこと知られているので、THRUダミーパターンだけを使った4ポートデバイス用の方法を考案した。この方法をオンチップ差動伝送線路の評価に用いたところ、有効性を確認できた。

Research Products

• [Presentation] A 20 Gb/s 1:4 DEMUX with near-rail-to-rail logic swing in 90 nm CMOS process (2009)
  • Author(s): A. Mineyama, T. Suzuki, H. Ito, S. Amakawa, N. Ishihara, K. Masu
  • Organizer: IEEE MTTS International Microwave Workshop
  • Place of Presentation: Guadalajara, Mexico
  • Year and Date: 2009-02-20
• [Presentation] A simple de-embedding method for characterization of on-chip four-port networks (2008)
  • Author(s): Shuhei Amakawa, Hiroyuki Ito, Noboru Ishihara, Kazuya Masu
  • Organizer: Advanced Metallization Conference
  • Place of Presentation: Del Mar, California
  • Year and Date: 2008-10-23
• [Presentation] "デバイス限界説"がシステム限界で覆る-集積システム微細化への挑戦と異分野連携への期待 (2008)
  • Author(s): 天川修平, 益一哉
  • Organizer: 日本機会学会関東支部第14期総会講演会
  • Place of Presentation: 東京海洋大学越中島キャンパス
  • Year and Date: 2008-03-15
• [Presentation] Signal transmission through interconnects with repetitive loads (2007)
  • Author(s): Shuhei Amakawa, Hiroyuki Ito, Kazuya Masu
  • Organizer: Advanced Metallization Conference
  • Place of Presentation: Albany, New York
  • Year and Date: 2007-10-23
• [Presentation] 異なる減衰特性を有する配線からの漏話を考慮した実効減衰量 (2007)
  • Author(s): 富万林, 伊藤浩之, 天川修平, 堺淳, 益一哉
  • Organizer: 電子情報通信学会総合大会
  • Place of Presentation: 鳥取大学
  • Year and Date: 2007-09-14