2008 Fiscal Year Final Research Report
III-V-OI MOS structure by using selective wet oxidation of InAlAs layer
| Project/Area Number |
19860024
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
TAKENAKA Mitsuru The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 准教授 (20451792)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | MOSFET / 化合物半導体 / InAlAs / InGaAs / InP / ウェット酸化 |
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| Research Abstract |
InAlAsのウェット酸化を利用したIII-V MOS 界面の研究を行った。XPS 分析、エリプソメトリー、TEM 像解析等により、InAlAs の酸化機構を明らかにし、良好な界面特性を持つInAlAs/InP MOS界面を実現することに成功した。またInP 酸化防止層を配した構造において、InAlAs 層の自然酸化を抑制することで、良好なMOS 界面が再現性良く得られることを明らかにした。これにより既存のSi トランジスタの性能を上回るIII-V トランジスタを実現するための基盤技術を確立した。
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Research Products
(4 results)
