2019 Fiscal Year Comments on the Screening Results

2Dヘテロ界面特性の理解に基づく2DトンネルFETの構築

Research Project

Project/Area Number	19H00755
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	Kosuke NAGASHIO 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (20373441)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	吾郷浩樹九州大学, グローバルイノベーションセンター, 教授 (10356355)
Project Period (FY)	2019-04-01 – 2022-03-31
Outline of Opinions Expressed in the Review Results	本研究は、二次元層状物質を用いて二次元－二次元ヘテロ界面をトンネル電界効果トランジスタ（トンネルFET）に適応することで、トンネル距離を層間距離にまで低減してトンネルFETのオン電流向上を目指すものである。本研究では、提案者が取り組んできた二次元層状物質の原子レベルで急峻かつ電気的に不活性な界面をトンネルFETに適応するものであり、学術的な新規性と独創性が高い。トンネルFETのオン電流向上はIoTデバイスの低消費電力化にも繋がるため、研究の波及効果も大きい。