近赤外センシング用1.0μm帯モノリシック半導体光集積回路の開発

2019 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 19H00757
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: Nakano Yoshiaki 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (50183885)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 種村 拓夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (90447425) ; 杉山 正和 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (90323534)
• Project Period (FY): 2019-04-01 – 2022-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

LIDAR（ライダー）や医療診断デバイスの小型化と高速化に向けて、半導体チップ上にモノリシックに集積した近赤外センシング用光集積回路を創製する基盤技術を開拓する。歪み補償InGaAsP系量子井戸によって0.9 ～ 1.1 μm の波長域を広くカバーすることで、受光感度と空間分解能の向上を図る。さらに高密度にモノリシック集積した半導体チップを試作・実証する。
1.5または1.3μm帯（光通信波長）における光集積回路技術をベースとして、「1.0ミクロン帯での光波合成」という特徴的な新たな基本課題を打ち出し、着実な研究に組み立てられている。車載光レーダやイメージングシステム用の光源としての需要が見込まれる1μm帯の光集積回路作製技術を実現することが期待できる。