分極/電荷蓄積融合型ハフニウム系不揮発性多値メモリの創製

2019 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 19H00758
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: Ohmi Shun-ichiro 東京工業大学, 工学院, 准教授 (30282859)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 長岡 克己 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究員 (80370302) ; 後藤 哲也 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 (00359556) ; 舟窪 浩 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (90219080)
• Project Period (FY): 2019-04-01 – 2023-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

本研究は強誘電体の分極とMONOS構造の電荷蓄積を利用した分極/電荷蓄積融合型Hf系不揮発性多値メモリを創製することを目的としている。トンネル層と制御層にHfO2を、ゲート電極にHfN0.5を用い、in-situプロセスで形成したHf系MONOSデバイスを製作し、HfNx電荷蓄積層の捕獲準位や面内分布、窒化膜における電子捕獲メカニズムを明らかにすることを目的としている。
本研究で提案するメモリの構造が具体的で、研究方法も分かりやすく示されている点が優れている。