準ミリ波帯で動作する窒化物半導体トランジスタ増幅器の高耐圧・高出力化に関する研究

2019 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 19H00761
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Kwansei Gakuin University (2020-2021); University of Fukui (2019)
• Principal Investigator: Kuzuhara Masaaki 関西学院大学, 工学部, 教授 (20377469)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): ASUBAR JOEL 福井大学, 学術研究院工学系部門, 准教授 (10574220) ; 分島 彰男 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80588575) ; 只友 一行 山口大学, その他部局等, 名誉教授 (10379927)
• Project Period (FY): 2019-04-01 – 2022-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

電波漏洩なく比較的近距離での電力伝送を可能とするスマート無線電力伝送（ワイヤレス給電）を実現するためのキーデバイスの開発を目的とした研究である。これを実現するため、準ミリ波帯（24GHz）で出力10W以上の高出力増幅機能を持つ高耐圧ワンチップGaN-HEMTの開発を計画している。
本研究により、準ミリ波帯で無線電力伝送を実現が可能となり、電力利得6dB以上で出力電力10W以上の性能を有するワンチップの高出力GaNトランジスタの開発が期待できる。これが実現すれば、数10m以下の短距離を電波漏洩なく、例えばドローン等への連続無線給電やIoTセンサデバイスへの無線給電が可能となる。