• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2020 Fiscal Year Annual Research Report

Si-Ge系スーパーアトムの内部ポテンシャル変調による量子機能材料創成

Research Project

Project/Area Number 19H00762
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

牧原 克典  名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (90553561)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 大田 晃生  名古屋大学, 工学研究科, 助教 (10553620)
洗平 昌晃  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (20537427)
Project Period (FY) 2019-04-01 – 2023-03-31
KeywordsSi量子ドット
Outline of Annual Research Achievements

本年度は、SiO2膜上に自己組織化形成したGeコア/Siシェル量子ドットにおいて、量子ドット形成後の低温水素アニールがGeコアからの発光特性に及ぼす影響を評価した。
Geコア/Siシェル量子ドットは、以下の手順で作成した。先ず、n-Si(100)基板を1000℃で酸化することにより~3.0nmのSiO2膜を形成し、希釈HF処理した後、pure SiH4ガスとH2希釈5%GeH4ガスのLPCVDにより、GeコアSi量子ドットを高密度・一括形成した。その後、リモートプラズマ酸化により、ドット表面に~1.0nmの酸化膜を形成した。GeコアSi量子ドット形成後、H2雰囲気350℃のアニール処理を行った。比較としてN2雰囲気中においても同様のアニール処理を行った。
GeコアSi量子ドットの室温PLスペクトル測定では、0.60~0.85 eVにブロードな発光が認められ、Siクラッドの伝導帯の量子準位からGeコアの価電子帯の量子準位への電子遷移に伴った発光成分(Comp. 1 : ~0.66 eV)とGeコアの量子準位間の発光再結合に起因する3成分(Comp. 2 :~0.70 eV, Comp. 3 :~0.74 eV, Comp. 4 :~0.79 eV)で分離できる。350℃でH2アニールした場合、PL強度の大幅な増大が認められ、アニール処理無しの場合と同じ成分(ピーク位置および半値幅)で分離できることが分った。波形分離した各成分のPL積分強度まとめた結果、Comp.1に比べてComp. 2~4の増加率が顕著であった。尚、350℃のN2アニールではPLスペクトルに顕著な変化は認められなかった。この結果は、Geコア内部およびSiクラッド/Geコア界面の欠陥が、水素パッシベーションされることによって非発光再結合レートが減少し、発光効率が向上したとして解釈できる。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

新型コロナウィルスによる緊急事態宣言もあり、研究が進まない時期もあったが、宣言解除後には、試料作成や評価は当初の予定通り進めることができた。

Strategy for Future Research Activity

今年度は、新たに電子系に対する深い閉じ込めポテンシャル井戸が実現できるGe合金(ジャーマナイド)コア/Siシェル量子ドット(ジャーマナイドコアSi量子ドット)を新たに創成し、均質ナノドットにない固有の物性・機能を探索する。これにより、特異な非線形誘電応答、多段階電荷輸送特性を示す新ナノ材料の創成を目指す。具体的な形成プロセスを下記に示す。SiO2上にP添加Si量子ドットを形成する。ドットへの不純物デルタドーピングは、SiH4-LPCVD中にPH3をパルス供給により行う。尚、Pデルタドーピング条件は既に得ている。次に、GeH4ガスの熱分解で、Si量子ドット上にGeを選択成長する。Ge内核形成後、金属(NiおよびW)のハロゲン化ガスまたは有機錯体を用いたCVD反応を精密制御して、金属(NiおよびW)をGe上に選択成長・合金化する。その後、SiH4-LPCVD を施して、NiGe表面をSiで被覆することでNiGe内核を有するSi量子ドット構造を形成する。これにより、電子に対する深い閉じ込めポテンシャルを有するショットキ型コア/シェル量子ドットが実現できる。

  • Research Products

    (25 results)

All 2021 2020 Other

All Int'l Joint Research (2 results) Journal Article (8 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Peer Reviewed: 8 results) Presentation (14 results) (of which Int'l Joint Research: 8 results,  Invited: 1 results) Remarks (1 results)

  • [Int'l Joint Research] Inner Mongolia University of Technology(中国)

    • Country Name
      CHINA
    • Counterpart Institution
      Inner Mongolia University of Technology
  • [Int'l Joint Research] IHP(ドイツ)

    • Country Name
      GERMANY
    • Counterpart Institution
      IHP
  • [Journal Article] Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy2020

    • Author(s)
      A. Ohta, T. Imagawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 60 Pages: SAAC02

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abb75b

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode2020

    • Author(s)
      T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki
    • Journal Title

      ECS Transactions

      Volume: 98 Pages: 429-434

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe2020

    • Author(s)
      J. Wu, H. Zhang, H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki
    • Journal Title

      ECS Transactions

      Volume: 98 Pages: 493-498

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing2020

    • Author(s)
      H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
    • Journal Title

      ECS Transactions

      Volume: 98 Pages: 505-512

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Characterization of photoluminescence from Si quantum dots with B δ-doped Ge core2020

    • Author(s)
      Takuya Maehara, Shuntaro Fujimori, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki
    • Journal Title

      Materials Science in Semiconductor Processing

      Volume: 120 Pages: 105215

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2020.105215

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Effect of B-doping on photoluminescence properties of Si quantum dots with Ge core2020

    • Author(s)
      Katsunori Makihara, Shuntaro Fujimori, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki
    • Journal Title

      Materials Science in Semiconductor Processing

      Volume: 120 Pages: 105250

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2020.105250

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Complex dielectric function of Si oxide as evaluated from photoemission measurements2020

    • Author(s)
      Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 59 Pages: SMMB04

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab8c99

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface2020

    • Author(s)
      Masato Kobayashi, Akio Ohta, Masashi Kurosawa, Masaaki Araidai, Noriyuki Taoka, Tomohiro Simizu, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 59 Pages: SGGK15

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab69de

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] High-Density Formation of FeSi2 Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma2021

    • Author(s)
      He Zhixue, Hai Zhang, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki
    • Organizer
      13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Influence of Substrate Temperature on Plsma-Enhaced Self-Assembling Formation of High Density FePt-Nanodot2021

    • Author(s)
      Shunsuke Honda, Katsunori Makihara, Hiroshi Furuhata, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda and Seiichi Miyazaki
    • Organizer
      13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Characterization of Electron Field Emission from Phosphorus δ-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures2021

    • Author(s)
      Tatsuya Takemoto, Tomohumi Niibayashi, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda and Seiichi Miyazaki
    • Organizer
      13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Magnetoelectronic Transport Characteristics of Fe3Si Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma2021

    • Author(s)
      Wu Jialin, Hai Zhang, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki
    • Organizer
      13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 低温水素アニール処理がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響2021

    • Author(s)
      前原 拓哉,池田 弥央,大田 晃生,牧原 克典,宮﨑 誠一
    • Organizer
      第68回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響2021

    • Author(s)
      本田 俊輔,古幡 裕志, 大田 晃生, 池田 弥央, 大島 大輝, 加藤 剛志, 牧原 克典,宮﨑 誠一
    • Organizer
      第68回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] XANAMによるSi-Ge量子ドットにおけるX線誘起力変化の調査2021

    • Author(s)
      鈴木 秀士、向井 慎吾、田 旺帝、野村 昌治、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、朝倉 清高
    • Organizer
      第68回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Si-Ge系ナノドットの高密度集積と光・電子物性制御2020

    • Author(s)
      牧原 克典、宮﨑 誠一
    • Organizer
      阪大CSRN 第二回異分野研究交流会 ~半導体ナノカーボン系~
    • Invited
  • [Presentation] Crystallization of Ge Thin Films on Sapphire(0001) by Thermal Annealing2020

    • Author(s)
      H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
    • Organizer
      PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots By Using a Magnetic AFM Probe2020

    • Author(s)
      J. Wu, H. Zhang , H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki
    • Organizer
      PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Electron Field Emission from Multiply-Stacked Si Quantum Dots Structures with Graphene Top-Electrode2020

    • Author(s)
      T. Niibayashi, T. Takemoto, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyaaki
    • Organizer
      PRiME 2020 (ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Growth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure2020

    • Author(s)
      A. Ohta, K. Yamada, H. Sugawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
    • Organizer
      2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 金属Zr/Hf構造の熱酸化によるZrHf酸化物の形成と結晶相制御2020

    • Author(s)
      長谷川 遼介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一
    • Organizer
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] グラフェン上部電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出 ―コレクタ電極電圧依存性評価2020

    • Author(s)
      新林 智文、竹本 竜也、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一
    • Organizer
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Remarks] 名古屋大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 宮﨑研究室

    • URL

      http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/miyazakilab/

URL: 

Published: 2021-12-27  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi