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2021 Fiscal Year Annual Research Report

界面反応制御を基軸とした高効率高信頼性GaN半導体MOSデバイスの創成

Research Project

Project/Area Number 19H00767
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

渡部 平司  大阪大学, 工学研究科, 教授 (90379115)

Project Period (FY) 2019-04-01 – 2023-03-31
Keywords窒化ガリウム / パワーデバイス / MOS構造 / 界面反応制御
Outline of Annual Research Achievements

近年、窒化ガリウム(GaN)は、次世代のパワーデバイス用材料としても注目を集めている。研究代表者は、絶縁膜/GaN系半導体の界面設計に取り組み、伝導帯端近傍の界面準位密度を低減し、超高品質なGaN MOS構造を実現している。この成果は極薄GaOx界面層の挿入によって達成されたが、その機構解明には至っていない。また価電子帯端側には未だ多くの欠陥準位が存在し、p-GaN基板上での正常な正孔蓄積は報告例が無い。本研究では、絶縁膜/GaN系半導体ヘテロ界面欠陥の物理的な起源を解き明かすと共に、界面欠陥やGaN基板への欠陥導入を伴わない絶縁膜形成技術の構築を目指している。
これまでの実験を通じて、絶縁膜/GaN界面のGa-O結合が伝導帯端近傍の欠陥密度低減に有効であり、GaOx界面層を有したSiO2/GaOx/GaN構造の優位性を示せたと考えている。一方、過剰なGaOx界面層の成長は、SiO2絶縁膜への金属Gaの拡散に伴う絶縁性劣化や、電荷捕獲サイトの生成につながる事を示してきた。さらに、GaOx界面層は水素雰囲気中での熱処理で容易に還元され、正孔捕獲サイトとして振る舞う酸素空孔欠陥が生じる事を報告してきた。当該年度では、GaOx界面層の成長や還元反応を考慮したGaN MOS構造への後熱処理条件の最適化に加えて、MOSデバイスの長期信頼性確保の観点から、電気的なストレス耐性に優れたMOS界面実現に向けた絶縁膜形成技術の構築に引き続き取り組む。加えて、当該課題が最終目標としている価電子帯端近傍の電気的欠陥低減に向けた絶縁膜堆積法や後処理技術の完成を目指す。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

1: Research has progressed more than it was originally planned.

Reason

一昨年度の研究成果(AlGaN/p-GaN構造のMgドーパント活性化)の論文発表(Applied Physics Express)に加え、GaOx界面層の酸化還元反応に伴う電気的な欠陥生成や、これらの界面反応を考慮した後熱処理条件の最適化に関する学術論文(Japanese Journal of Applied Physics)の掲載に至っている。さらに、他機関との連携研究を通じて、Mgイオン注入で形成したp型GaN領域へのMOSデバイス試作に加え、p-GaN MOS界面への正孔捕獲現象を詳細に解析した研究成果を、当該分野を代表するレター論文誌(Applied Physics Letters)に発表する事ができた。さらに、当該年度中に国際会議(SSDM 2021)での成果発表1件に加え、応用物理学会や国内講演会等にて1件の招待講演と10件の一般講演を通じて、当該課題で得た研究開発成果を精力的に発信した。一方、n-GaN基板上のMOSデバイスを用いた正孔捕獲現象の評価手法を新たに提案し、GaN MOS界面、特に価電子帯端近傍欠陥の評価と、その終端化技術の確立に向けた基盤技術を構築する事ができた。

Strategy for Future Research Activity

当該課題の最終年度(2022年度)では、GaN MOS界面の欠陥、特に価電子帯端近傍の欠陥の起源を明らかにすると共に、欠陥終端手法を確立したい。具体的には、2021年度までに得た研究成果に加え、n型やp型のGaN基板、ドーピング濃度が異なるGaN基板上に作製したMOSデバイスの電気特性評価とストレステストを実施し、価電子帯端近傍欠陥の物理的な起源を明らかにすると共に、その終端技術を構築したい。欠陥終端技術の構築に際しては、従来のCVD法をベースとした絶縁膜成膜手法に加えて、低損傷スパッタ成膜技術や、各種後熱処理技術との複合化も含めて、最適解を導きたい。加えて、当該課題から得られたGaN MOS界面の基礎物性やMOS型GaNパワーデバイス実現に向けた研究戦略を学術論文等で継続的に発信する。

  • Research Products

    (16 results)

All 2022 2021 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results,  Open Access: 1 results) Presentation (12 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Invited: 1 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Fixed-charge generation in SiO2/GaN MOS structures by forming gas annealing and its suppression by controlling Ga-oxide interlayer growth2022

    • Author(s)
      H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 61 Pages: SC1034-1-6

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac44cd

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Insight into interface electrical properties of metal-oxide-semiconductor structures fabricated on Mg-implanted GaN activated by ultra-high-pressure annealing2022

    • Author(s)
      Y. Wada, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Kachi, T. Shimura and H. Watanabe
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 120 Pages: 082103-1-6

    • DOI

      10.1063/5.0081198

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Inhibition of Mg activation in p-type GaN caused by thin AlGaN capping layer and impact of designing hydrogen desorption pathway2021

    • Author(s)
      Y. Wada, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Hosoi, T. Narita, T. Kachi, T. Shimura, and H. Watanabe
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 14 Pages: 071001-1-4

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ac057d

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Presentation] AlGaNキャップ層によるMgドープp-GaNの活性化抑制と水素脱離過程の制御による特性改善2022

    • Author(s)
      溝端秀聡, 和田悠平, 野﨑幹人, 細井卓治, 成田哲生, 加地徹, 志村考功, 渡部平司
    • Organizer
      電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第27回研究会)
  • [Presentation] スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成2022

    • Author(s)
      大西健太郎, 見掛文一郎, 冨ヶ原一樹, 溝端秀聡, 野崎幹人, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
    • Organizer
      第69回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 酸化・還元反応制御に基づく高品質SiO2/GaN MOS構造の形成2022

    • Author(s)
      見掛文一郎, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
    • Organizer
      第69回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響2022

    • Author(s)
      溝端秀聡, 和田悠平, 野﨑幹人, 小林拓真, 細井卓治, 加地徹, 志村考功, 渡部平司
    • Organizer
      第69回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 紫外光照射によるGaN MOS構造における正孔トラップの評価2022

    • Author(s)
      冨ヶ原一樹, 中沼貴澄, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
    • Organizer
      第69回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Fixed charge generation in SiO2/GaN MOS structures by forming gas annealing and its suppression by controlling Ga-oxide interlayer growth2021

    • Author(s)
      H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
    • Organizer
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaN上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価2021

    • Author(s)
      和田悠平, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 細井卓治, 櫻井秀樹, 加地徹, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司
    • Organizer
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価2021

    • Author(s)
      和田悠平, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 細井卓治, 櫻井秀樹, 加地徹, 志村考功, 渡部平司
    • Organizer
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] SiO2/GaN MOS構造におけるゲート絶縁膜信頼性への堆積後熱処理の効果2021

    • Author(s)
      見掛文一郎, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会 第8回講演会
  • [Presentation] GaN(000-1)面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価2021

    • Author(s)
      冨ヶ原一樹, 和田悠平, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 吉越章隆, 細井卓治, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会 第8回講演会
  • [Presentation] 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたp型GaN MOSデバイスの電気特性評価2021

    • Author(s)
      溝端秀聡, 和田悠平, 野﨑幹人, 小林拓真, 細井卓治, 加地徹, 志村考功, 渡部平司
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会 第8回講演会
  • [Presentation] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面特性の類似性と相違点2021

    • Author(s)
      渡部平司
    • Organizer
      先進パワー半導体分科会 第8回講演会
    • Invited
  • [Remarks] 渡部研究室ホームページ

    • URL

      http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/

URL: 

Published: 2022-12-28  

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