2022 Fiscal Year Annual Research Report
Properties of steps as key factors to control the interface during crystal growth ; its measurement and thermodynamic model
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19H00820
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
吉川 健 東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (90435933)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
柴田 千尋 法政大学, 理工学部, 准教授 (00633299)
竹島 由里子 東京工科大学, メディア学部, 教授 (20313398)
三浦 均 名古屋市立大学, 大学院理学研究科, 准教授 (50507910)
川西 咲子 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (80726985)
三谷 武志 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (90586306)
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| Project Period (FY) |
2019-04-01 – 2023-03-31
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| Keywords | 高温溶液成長 / 界面その場観察 / ステップエネルギー / カイネティック係数 / シリコンカーバイド |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、単結晶の高温溶液成長時の結晶成長界面のステップ構造の科学的な理解と制御を可能とすべく、高温界面形状の定量的な観測手法を確立することと、SiC結晶の溶液中のステップ物性を明らかにすることを目的とした。
高温界面の観察の光学系を再度見直すこと、さらに観察像の画像解析手法の再検討を行うことにより、高温下での結晶厚みのサブミクロンの変化を定量的に評価するプログラムを確立し、結晶の溶解や成長の速度の評価が可能となった。また観察結晶の溶媒中の溶解度が100ppm以下の微小の場合に、その溶解度を従来の計測手法に比べてより精確に計測することを可能とした。
さらに結晶の溶媒中のステップ物性を評価するうえでより好適な拡散支配型の結晶成長環境を構築するために、加熱環境へのレーザー加熱の適用を前年度より進めてきたが、試行錯誤的な調査により好適な結晶成長環境を構築した。そのうえで、Si-Cr系を中心として複数の溶媒系でのステップ物性の評価を行うに至った。
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| Research Progress Status |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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