高効率スピン軌道トルク電圧制御デバイス創製を目指したナノ構造エンジニアリング

2019 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 19H00844
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 28:Nano/micro science and related fields
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: Saito Yoshiaki 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (80393859)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 手束 展規 東北大学, 工学研究科, 准教授 (40323076) ; 池田 正二 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (90281865)
• Project Period (FY): 2019-04-01 – 2023-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

超低消費電力・大容量・高速動作・高耐久性を備えたスピン軌道トルク（SOT）電圧制御不揮発メモリデバイス実現を目指して、低抵抗・重金属配線による高効率SOT磁化反転技術、高熱安定性「強磁性／非磁性／強磁性」記録層を有するアスペクト比１の垂直磁化方式スピントンネル接合デバイスの作製技術、垂直磁化方式の外部電圧印加によるスピン反転技術、電圧制御によるセル選択アーキテクチャ、の4つの技術を開発する。
ナノ構造を重金属配線層に導入し、重金属配線にスピン依存散乱に基づくスピントルクを増大させ低消費電力化を図る構造は有効であり、学術的意義がある。また、スピン伝導機構解明は学術的にも途上であり、推進すべき重要な研究課題である。現行のスピントルクMRAMを上回る特性を有する超低消費電力・大容量・高速動作・高耐久性を備えた不揮発性メモリの実現が期待される。