2019 Fiscal Year Comments on the Screening Results

ビット化けを許容することで飛躍的な省エネ化を実現する計算機メモリシステムの研究

Research Project

Project/Area Number	19H01108
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Medium-sized Section 60:Information science, computer engineering, and related fields
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	Hirofuchi Takahiro 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 情報・人間工学領域, 研究チーム長 (20462864)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	高野了成国立研究開発法人産業技術総合研究所, 情報・人間工学領域, 主任研究員 (10509516) 今村裕志国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究チーム長 (30323091) 荒井礼子国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50431755)
Project Period (FY)	2019-04-01 – 2023-03-31
Outline of Opinions Expressed in the Review Results	低消費電力であるが信頼性が低い電圧駆動型磁気メモリ（MRAM）を用いて大幅な省エネ化を実現するための計算機アーキテクチャ、およびシステムソフトウェアの研究開発を目的とし、CPUキャッシュとメインメモリの消費電力を大幅に削減することを目指している。実際のアプリケーションを通して有効性を示すことも視野に入れている。不揮発性メモリに関わる研究や、メモリデバイス単体としてみたときの性能モデルやエラー対策の研究開発は多いが、逆にエラーを許容してでも強力に低消費電力化を推し進めようというアイデアは独創的であり、低消費電力化が迫られる現代においては必要性が高い。また、エラーを許容する計算機アーキテクチャやシステムソフトウェアの研究開発は学術的価値も高い。