2022 Fiscal Year Annual Research Report
Design and production of the semiconducting graphene
Project/Area Number |
19H01823
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
齋藤 晋 東京工業大学, 理学院, 教授 (00262254)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
豊田 雅之 東京工業大学, 理学院, 助教 (30536587)
平山 博之 東京工業大学, 理学院, 教授 (60271582)
橋詰 富博 東京工業大学, 理学院, 特任教授 (70198662)
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Project Period (FY) |
2019-04-01 – 2023-03-31
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Keywords | グラフェン / 半導体 / 電子構造計算 / STM |
Outline of Annual Research Achievements |
これまでの研究で、グラフェン系は六方格子、長方格子、斜方格子の周期で構造修飾を施すことにより、本来の第一ブリルアンゾーン内に二つ存在するディラックコーンが同一の波数ベクトルの点で重なることにより半導体化し、バンドギャップを持つことが判明した。そして、精密な第一原理電子構造計算に基づいて、いくつかの系について系統的に構造周期を変化させることでバンドギャップがどの様に変化するかを詳細に調べてきたが、興味深いことに、長方格子の場合、長辺と短辺の積、即ち、単位胞の面積のみでほぼ定まるバンドギャップが現れることが判明した。また、前年に判明した蜂の巣格子の周期で三角形型の穴を開ける構造修飾を施した場合のバンドギャップ値の特異な変化について、さらなる解析を進めた結果、グラフェンナノリボンとの関連のある興味深い系であることが判明した。 実験研究展開では、イオンビームを用いたグラフェンの周期構造修飾実験において、実際に設計した通りの周期で構造修飾が行われたことをSTM測定により確認することができた。今後、構造修飾の周期をより短くすることで、半導体素材として有用なバンドギャップ値を持つグラフェンの合成に繋がる、基本となる成果と位置付けられる。さらに、Cu基板上のグラフェンにおいて、グラフェンと基盤のCu表面の間にBiを周期的にインターカレーとすることに成功した。これも、インターカレーションによるグラフェンの電子構造改変と半導体化研究の基本となる成果と位置付けられる。
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Research Progress Status |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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Strategy for Future Research Activity |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(22 results)
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[Journal Article] Direct Imaging of Band Structure for Powdered Rhombohedral Boron Monosulfide by Microfocused ARPES2023
Author(s)
K. Sugawara, H. Kusaka, T. Kawakami, K. Yanagizawa, A. Honma, S. Souma, K. Nakayama, M. Miyakawa, T. Taniguchi, M. Kitamura, K. Horiba, H. Kumigashira, T. Takahashi, S. Orimo, M. Toyoda, S. Saito, T. Kondo, and T. Sato
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Journal Title
Nano Letters
Volume: 23
Pages: 1673-1679
DOI
Peer Reviewed
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[Journal Article] Rhombohedral Boron Monosulfide as a p-Type Semiconductor2023
Author(s)
N. Watanabe, K. Miyazaki, M. Toyoda, K. Takeyasu, N. Tsujii, H. Kusaka, A. Yamamoto, S.Saito, M. Miyakawa, T. Taniguchi, T. Aizawa, T. Mori, M. Miyauchi, and T. Kondo
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Journal Title
Molecules
Volume: 28
Pages: 1896-1~9
DOI
Peer Reviewed / Open Access
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[Journal Article] Van Hove singularity and Lifshitz transition in thickness-controlled Li-intercalated graphene2022
Author(s)
S. Ichinokura, M. Toyoda, M. Hashizume, K. Horii, S. Kusaka, S. Ideta, K. Tanaka, R. Shimizu, T. Hitosugi, S. Saito, and T. Hirahara
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Journal Title
Physical Review B
Volume: 105
Pages: 235307-1~6
DOI
Peer Reviewed
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[Presentation] Investigation of carrier properties of rhombohedral boron sulfide2023
Author(s)
N. Watanabe, K. Miyazaki, M. Toyoda, K. Takeyasu,N. Tsujii, H. Kusaka, A. Yamamoto, S. Saito,M. Miyakawa, T. Taniguchi, T. Aizawa, T. Mori, M. Miyauchi, and T. Kondo
Organizer
第15回 日本ホウ素・ホウ化物研究会
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