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2022 Fiscal Year Annual Research Report

Design and production of the semiconducting graphene

Research Project

Project/Area Number 19H01823
Research InstitutionTokyo Institute of Technology

Principal Investigator

齋藤 晋  東京工業大学, 理学院, 教授 (00262254)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 豊田 雅之  東京工業大学, 理学院, 助教 (30536587)
平山 博之  東京工業大学, 理学院, 教授 (60271582)
橋詰 富博  東京工業大学, 理学院, 特任教授 (70198662)
Project Period (FY) 2019-04-01 – 2023-03-31
Keywordsグラフェン / 半導体 / 電子構造計算 / STM
Outline of Annual Research Achievements

これまでの研究で、グラフェン系は六方格子、長方格子、斜方格子の周期で構造修飾を施すことにより、本来の第一ブリルアンゾーン内に二つ存在するディラックコーンが同一の波数ベクトルの点で重なることにより半導体化し、バンドギャップを持つことが判明した。そして、精密な第一原理電子構造計算に基づいて、いくつかの系について系統的に構造周期を変化させることでバンドギャップがどの様に変化するかを詳細に調べてきたが、興味深いことに、長方格子の場合、長辺と短辺の積、即ち、単位胞の面積のみでほぼ定まるバンドギャップが現れることが判明した。また、前年に判明した蜂の巣格子の周期で三角形型の穴を開ける構造修飾を施した場合のバンドギャップ値の特異な変化について、さらなる解析を進めた結果、グラフェンナノリボンとの関連のある興味深い系であることが判明した。
実験研究展開では、イオンビームを用いたグラフェンの周期構造修飾実験において、実際に設計した通りの周期で構造修飾が行われたことをSTM測定により確認することができた。今後、構造修飾の周期をより短くすることで、半導体素材として有用なバンドギャップ値を持つグラフェンの合成に繋がる、基本となる成果と位置付けられる。さらに、Cu基板上のグラフェンにおいて、グラフェンと基盤のCu表面の間にBiを周期的にインターカレーとすることに成功した。これも、インターカレーションによるグラフェンの電子構造改変と半導体化研究の基本となる成果と位置付けられる。

Research Progress Status

令和4年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

令和4年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (22 results)

All 2023 2022 Other

All Int'l Joint Research (1 results) Journal Article (7 results) (of which Peer Reviewed: 7 results,  Open Access: 1 results) Presentation (14 results) (of which Int'l Joint Research: 6 results,  Invited: 3 results)

  • [Int'l Joint Research] University College London(英国)

    • Country Name
      UNITED KINGDOM
    • Counterpart Institution
      University College London
  • [Journal Article] Direct Imaging of Band Structure for Powdered Rhombohedral Boron Monosulfide by Microfocused ARPES2023

    • Author(s)
      K. Sugawara, H. Kusaka, T. Kawakami, K. Yanagizawa, A. Honma, S. Souma, K. Nakayama, M. Miyakawa, T. Taniguchi, M. Kitamura, K. Horiba, H. Kumigashira, T. Takahashi, S. Orimo, M. Toyoda, S. Saito, T. Kondo, and T. Sato
    • Journal Title

      Nano Letters

      Volume: 23 Pages: 1673-1679

    • DOI

      10.1021/acs.nanolett.2c04048

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Rhombohedral Boron Monosulfide as a p-Type Semiconductor2023

    • Author(s)
      N. Watanabe, K. Miyazaki, M. Toyoda, K. Takeyasu, N. Tsujii, H. Kusaka, A. Yamamoto, S.Saito, M. Miyakawa, T. Taniguchi, T. Aizawa, T. Mori, M. Miyauchi, and T. Kondo
    • Journal Title

      Molecules

      Volume: 28 Pages: 1896-1~9

    • DOI

      10.3390/molecules28041896

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Journal Article] Electronic properties of graphene with triangular defects in a superhoneycomb arrangement: A first-principles study2023

    • Author(s)
      Y. Taguchi, M. Toyoda, and S. Saito
    • Journal Title

      Physical Review B

      Volume: in press Pages: -

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Detection of Environmentally Toxic Molecules Using Carbon Nanotubes: A First-Principles Theoretical Study2022

    • Author(s)
      Y. Fujimoto and S. Saito
    • Journal Title

      Journal of The Electrochemical Society

      Volume: 169 Pages: 037512-1~6

    • DOI

      10.1016/j.jnoncrysol.2022.121670

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] A new transferable tight-binding model for boron and its application to amorphous boron2022

    • Author(s)
      C.M. J. Chan, M. Toyoda, and S. Saito
    • Journal Title

      Journal of Non-Crystalline Solids

      Volume: 590 Pages: 121670-1~12

    • DOI

      10.1016/j.jnoncrysol.2022.121670

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Van Hove singularity and Lifshitz transition in thickness-controlled Li-intercalated graphene2022

    • Author(s)
      S. Ichinokura, M. Toyoda, M. Hashizume, K. Horii, S. Kusaka, S. Ideta, K. Tanaka, R. Shimizu, T. Hitosugi, S. Saito, and T. Hirahara
    • Journal Title

      Physical Review B

      Volume: 105 Pages: 235307-1~6

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.105.235307

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Liが侵入したグラフェンにおける層数依存Lifshitz転移2022

    • Author(s)
      一ノ倉 聖 , 豊田 雅之, 斎藤 晋, 平原 徹
    • Journal Title

      表面と真空

      Volume: 65 Pages: 502-507

    • DOI

      10.1380/vss.65.502

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Investigation of carrier properties of rhombohedral boron sulfide2023

    • Author(s)
      N. Watanabe, K. Miyazaki, M. Toyoda, K. Takeyasu,N. Tsujii, H. Kusaka, A. Yamamoto, S. Saito,M. Miyakawa, T. Taniguchi, T. Aizawa, T. Mori, M. Miyauchi, and T. Kondo
    • Organizer
      第15回 日本ホウ素・ホウ化物研究会
  • [Presentation] Forty years of research on nanostructured carbon materials2023

    • Author(s)
      Susumu Saito
    • Organizer
      64th Fullerenes, Nanotubes, and Graphene General Symposium
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] ew carbon allotropes and their B-doped phases as candidate for Q-carbon materials with magnetic and superconducting properties2023

    • Author(s)
      R. Kita, M. Toyoda, and S. Saito
    • Organizer
      American Physical Society 2023 March Meeting
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 金属挿入二層グラフェンの電子状態2023

    • Author(s)
      豊田雅之, 斎藤晋
    • Organizer
      日本物理学会2023 年春季大会
  • [Presentation] 三角形状の欠陥を蜂の巣格子状に導入したグラフェンのバンドギャップの振る舞い2023

    • Author(s)
      田口裕太, 豊田雅之, 平山元昭, 三宅隆, 斎藤晋
    • Organizer
      日本物理学会2023 年春季大会
  • [Presentation] 超伝導体C6CaC6 とSiC 基板の界面Ca が誘起する金属的バンドと転移温度の上昇2023

    • Author(s)
      徳田啓, 一ノ倉聖, 豊田雅之, 田中清尚, 斎藤晋, 平原徹
    • Organizer
      日本物理学会2023 年春季大会
  • [Presentation] Ca がインターカレートした2 層グラフェンにおけるCa-3d 軌道の価電⼦帯への寄与2023

    • Author(s)
      ⼀ノ倉聖, 豊田雅之, 德田啓, 中清尚, 斎藤晋, 平原徹
    • Organizer
      日本物理学会2023 年春季大会
  • [Presentation] Electronic structure and intertube interactions in ropes of carbon nanotubes2022

    • Author(s)
      B. Hasegawa, Y. Fujimoto, and S. Saito
    • Organizer
      63rd Fullerenes, Nanotubes, and Graphene General Symposium
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Ca インターカレート2 層グラフェンに過剰なCaが誘起する自由電子バンド2022

    • Author(s)
      德田啓, 一ノ倉聖, 豊田雅之, 田中清尚, 斎藤晋, 平原徹
    • Organizer
      日本物理学会2022年秋季大会
  • [Presentation] ong-Range Transferable Total-Energy Tight-Binding Model for Boron and Carbon: Its Application to the Structural Analysis of Amorphous and Nanostructured Materials2022

    • Author(s)
      C. -M. J. Chan, M. Toyoda,and S. Saito
    • Organizer
      12th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy, and Environment
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Caインターカレート2層グラフェンに 過剰なCaが誘起する自由電子バンド2022

    • Author(s)
      德田啓, 一ノ倉聖, 豊田雅之, 田中清尚, 斎藤晋, 平原徹
    • Organizer
      UVSORシンポジウム2022
  • [Presentation] カルシウム侵入2 層グラフェンにおけるp 軌道とd 軌道の混成2022

    • Author(s)
      一ノ倉聖、豊田雅之、德田啓、田中清尚、斎藤晋、平原徹
    • Organizer
      UVSORシンポジウム2022
  • [Presentation] Transferable Total-Energy Tight-Binding Model for Second-Row Elements: An Extension from Carbon to Boron and its Application to Amorphous and Nanostructured Materials2022

    • Author(s)
      C. -M. J. Chan, M. Toyoda, and S. Saito
    • Organizer
      Defect Functionalized Sustainable Energy Materials: From Design to Devices Application
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Periodically Modified Graphene with triangular defects in a superhoneycomb arrangement: A new class of semiconductor graphene for band-gap engineering with new scaling law2022

    • Author(s)
      Y. Taguchi, M. Toyoda, and S. Saito
    • Organizer
      Defect Functionalized Sustainable Energy Materials: From Design to Devices Application
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2023-12-25  

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