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2019 Fiscal Year Annual Research Report

2D materials with Rshba spin, local spin, and conduction electrons

Research Project

Project/Area Number 19H01825
Research InstitutionKyoto University

Principal Investigator

有賀 哲也  京都大学, 理学研究科, 教授 (70184299)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 奥山 弘  京都大学, 理学研究科, 准教授 (60312253)
八田 振一郎  京都大学, 理学研究科, 助教 (70420396)
Project Period (FY) 2019-04-01 – 2022-03-31
Keywords表面界面 / 超薄膜 / 低次元物質 / 電気伝導
Outline of Annual Research Achievements

本研究は、新しい低次元電子材料として注目されている金属ハライドなどの層状物質を極限まで薄くした、単分子層、2分子層物質の電子スピン物性と2次元電気伝導性を明らかにすることを目的としている。
当該年度においては、半導体シリコン表面上に作成した電気伝導性単原子膜に関して、その膜を破壊せずにも膜の電気伝導性およびその温度依存性を測定するための装置開発を行い、実際にシリコン単結晶表面上に作成したインジウム原子結晶超薄膜の電気伝導性およびその温度依存性を精密測定することに成功した。
具体的には、新たに開発した超高真空非破壊4端子プローブにより、シリコン表面上のインジウム原子層の電気伝導度の温度依存性の精密測定を行った。この表面の電子構造について角度分解光電子分光により測定し、金属的電気伝導度の由来となっている金属的表面電子状態を特定した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

1: Research has progressed more than it was originally planned.

Reason

固体表面上の単分子膜は千万分の一ミリ程度の厚さしか無く、通常の電気伝導度測定法では膜を破壊してしまうため、電極を取り付けることが非常に難しい。また、特定の結晶表面にのみ成長するので、予め基板上に電極を取り付けておくこともできない(良質な膜が作れない)。本研究では、これらの困難を解決し、半導体表面上の、わずか一千万分の一ミリメートルの厚さの分子性物質超薄膜について電気伝導度の精密測定することを、世界に先駆けて実現した。

Strategy for Future Research Activity

開発した電気伝導度測定手法を走査トンネル顕微鏡、第一原理計算、低速電子回折などと組み合わせることにより、超薄膜の電気伝導性をその原子配列構造、電子状態と関連づけて議論することができるようになった。これにより、種々の超薄膜について研究を展開する。

  • Research Products

    (7 results)

All 2020 2019

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (5 results)

  • [Journal Article] Identifying Atomic-Level Correlation between Geometric and Electronic Structure at a Metal-Organic Interface2020

    • Author(s)
      Hiroyuki Koshida, Hiroshi Okuyama, Shinichiro Hatta, Tetsuya Aruga, Yuji Hamamoto, Ikutaro Hamada, Yoshitada Morikawa
    • Journal Title

      Journal of Physical Chemistry C

      Volume: 124 Pages: 17696-17701

    • DOI

      10.1021/acs.jpcc.0c04678

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Structure and phase transition of a uniaxially incommensurate In monolayer on Si (111)2019

    • Author(s)
      S Terakawa, S Hatta, H Okuyama, T Aruga
    • Journal Title

      Physical Review B

      Volume: 100 Pages: 115428-1/7

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.100.115428

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] In超薄膜と遷移金属フタロシアニンの界面電子状態2020

    • Author(s)
      松原燦, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
    • Organizer
      日本物理学会第75回年次大会
  • [Presentation] Mg蒸着によるPb/Si(111)表面の構造と電子状態の変化2020

    • Author(s)
      寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
    • Organizer
      日本物理学会第75回年次大会
  • [Presentation] Bi2Te3におけるファンデルワールス界面の電子状態と電気伝導2019

    • Author(s)
      八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
    • Organizer
      日本物理学会2019年秋季大会
  • [Presentation] In/Si(111)上金属フタロシアニンの電子状態と基板-分子間相互作用2019

    • Author(s)
      松原燦, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
    • Organizer
      日本物理学会2019年秋季大会
  • [Presentation] SrTiO3(100), (111)表面での2次元物質成長2019

    • Author(s)
      寺川成海, 力丸英史, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
    • Organizer
      日本物理学会2019年秋季大会

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Published: 2021-12-27  

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