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2020 Fiscal Year Annual Research Report

Imaging of threading dislocations by hyper-Raman scattering

Research Project

Project/Area Number 19K22043
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

谷川 智之  大阪大学, 工学研究科, 准教授 (90633537)

Project Period (FY) 2019-06-28 – 2021-03-31
Keywords多光子顕微鏡 / 転位 / GaN / ハイパーラマン散乱
Outline of Annual Research Achievements

ハイパーラマン散乱による深部の歪場イメージングに向けて、多光子励起フォトルミネッセンス法を用いて非輻射的性質や伝搬挙動などの情報を基に貫通転位を識別し、ラマンマッピング測定から刃状成分を検出した。
ハライド気相成長法で作製したn 型 GaN 基板に対し、表面から深さ 100 um 程度の領域について多光子励起顕微鏡を用いてバンド端近傍発光の三次元分布を測定した。次に、ラマン分光装置を用いて同位置の表面近傍の GaN E2(high)モードのピークシフトマップを得た。
表面の凹凸や研磨傷は、多光子励起フォトルミネッセンス像の表面二次元像やラマンマッピング像の輝度像に反映され、これらを指標に画像の位置対応をとることができた。転位の位置は多光子励起フォトルミネッセンス像とラマンマッピング像でおよそ一致し、同一の転位を異なる手法で評価することができた。多光子励起フォトルミネッセンス法を用いて観察された貫通転位を刃状・らせん・混合転位に分類し、それぞれについてE2(high)振動モードのラマンマッピングを取得したところ、刃状転位と混合転位の近傍において±0.5 cm-1程度のラマンシフトが発生した。これは刃状転位による弾性歪によって説明することができ、ラマン分光測定によって刃状転位と混合転位を検出できることを示している。また、
ハイパーラマン散乱は通常のラマン散乱とは選択則が異なるため、検出可能な振動モードが異なる。ラマンテンソルから、多光子励起フォトルミネッセンス像における結晶c軸方向にレーザを入射し後方散乱を測定するz(x,x)z + z(x,y)z配置では、E1振動モードが検出できることが分かった。GaNにおけるE1振動モードは741 cm-1の波数で振動することから、通常のラマン散乱と同様の波数分解能の測定で検出できる可能性が示された。

  • Research Products

    (12 results)

All 2021 2020 Other

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results,  Open Access: 1 results) Presentation (9 results) (of which Int'l Joint Research: 3 results,  Invited: 3 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping2021

    • Author(s)
      Tsukakoshi Mayuko、Tanikawa Tomoyuki、Yamada Takumi、Imanishi Masayuki、Mori Yusuke、Uemukai Masahiro、Katayama Ryuji
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 14 Pages: 055504~055504

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abf31b

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Journal Article] Multiphoton Microscopy2020

    • Author(s)
      Tanikawa Tomoyuki
    • Journal Title

      Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices

      Volume: - Pages: 1~22

    • DOI

      10.1063/9780735422698_007

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察2021

    • Author(s)
      谷川智之
    • Organizer
      2021年2月24日新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会(Zoom)
  • [Presentation] GaN結晶中の貫通転位の非破壊分類に向けた多光子励起PLマッピング像とラマンマッピング像の相関解析2021

    • Author(s)
      谷川智之、足立真理子、寺田陸斗、塚越真悠子、上向井正裕、片山竜二
    • Organizer
      第68回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Nondestructive characterization of GaN by multiphoton-excitation photoluminescence mapping2021

    • Author(s)
      T. Tanikawa, M. Tsukakoshi, M. Uemukai, R. Katayama
    • Organizer
      SPIE Photonics West: Conference 11686 -Gallium Nitride Materials and Devices XVI-
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Core structure of threading dislocations in GaN2021

    • Author(s)
      T. Kiguchi , Y. Kodama, Y. Hayasaka, T. Tanikawa, and T. J. Konno
    • Organizer
      "The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)"
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Correlation between etch pit size and threading dislocation propagation habit in GaN substrate observed by multiphoton-excitation photoluminescence2021

    • Author(s)
      M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama
    • Organizer
      8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application (LEDIA2020)
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-excitation photoluminescence imaging2020

    • Author(s)
      M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama
    • Organizer
      第39回電子材料シンポジウム
  • [Presentation] 多光子励起PL三次元測定によるGaN基板中の転位の判別2020

    • Author(s)
      谷川智之、塚越真悠子、上向井正裕、片山竜二
    • Organizer
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第118回研究会「最先端評価技術を用いたワイドギャップ半導体結晶中の転位評価」
    • Invited
  • [Presentation] 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶中貫通転位の観察と分類2020

    • Author(s)
      塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
    • Organizer
      第67回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶の貫通転位の観察と分類 (2)2020

    • Author(s)
      塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二
    • Organizer
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Remarks] 使える次世代半導体の実現。GaN 半導体の結晶欠陥を非破壊で識別する技術

    • URL

      https://www.eng.osaka-u.ac.jp/wp-content/uploads/2021/04/PR20210428.pdf

URL: 

Published: 2021-12-27  

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