2020 Fiscal Year Annual Research Report
Crystal growth of InN semiconductor for high performance pn junction diodes
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19K22228
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
松崎 功佑 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 特任助教 (40571500)
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| Project Period (FY) |
2019-06-28 – 2021-03-31
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| Keywords | 窒化物 / アモノサーマル / 半導体 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
In窒化物の合成法（窒化法）について、低温でアンモニアを分解し活性な窒素化学種を作る直接窒化法を用いて前年度から引き続き薄膜について検討した。また本年度からは単結晶バルク作製に着手した。
１．In金属薄膜をNH3単体では窒化できない低温領域において、酸素をNH3に微量添加した考案の直接窒化法ではIn金属の部分窒化すること、また酸化性ガスを酸化力の弱いCO2に変更したところ、低温領域で単相のInN薄膜の合成が確認できた。
２．直接窒化法を用いたInN単結晶バルクの作製を試みるため、アンモニア分圧が上げられる高圧密閉容器に酸化性原料を加えたアモノサーマル法について検討した。本年度は合成が容易な窒化銅単結晶の育成について試みた。酸化性原料として硝酸銅塩を選択しCu粉末に加えることで単相の窒化銅単結晶が合成されることが分かった。
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