2008 Fiscal Year Annual Research Report
ハイコンダクタンス単一分子接合に向けた電極-分子界面の創製
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20027009
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
谷口 正輝 Osaka University, 産業科学研究所, 准教授 (40362628)
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| Keywords | 電極-分子界面 / 単一分子伝導 / 量子伝導 / 機械的破断接合 / 電極-分子界面の安定性 / 金-硫黄結合 / 金-セレン結合 / トンネル伝導 |
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| Research Abstract |
これまでの研究により、Au-S結合、Au-Se結合、およびAu-Te結合から形成される電極-分子界面の中で、Au-Se結合がハイコンダクタンス単一分子接合に最も有効であることを見出している。しかし、他の電極金属との界面は検討されていないため、本研究では、Au、Ag、Cuと、SとSeの全ての組み合わせから形成される電極-分子界面の結合状態と電子状態をベンゼンチオール(BT)とベンゼンセレノール(BS)の単分子膜を用いて光電子分光法により調べた。Ag-BTとAg-BSは安定な単分子膜を形成したが、Cu-BTとCu-BSは単分子膜を形成するものの、大気中では徐々に銅表面が酸化されることが明らかとなった。特に、Cu-BSの界面では、セレン酸化物の形成がX線光電子分光から明らかとなり、Cu-BS界面は不安定であることが分かった。一方、それぞれの電極-分子界面の電子状態を紫外光電子分光法により調べたところ、全ての界面において、フェルミレベルに有限な状態密度が観測され、分子由来の状態密度が、Ag-BT、Ag-BS、Cu-BTにおいて、それぞれ、フェルミレベルから1.5eV、1.3eV、1.4eVに観察された。対応するAu-BTとAu-BSにおける値が1.2eVと0.9eVであることから、これら全ての電極-分子界面の中では、Au-BS界面が入イコンダクタンス単一分子接合に最も有効であることが明らかとなった。
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Research Products
(13 results)
