2008 Fiscal Year Final Research Report

Development of spin-polarized light-emitting diodes with a ZnSe tunnel barrier

Research Project

Project/Area Number	20042011
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Review Section	Science and Engineering
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	SAITO Hidekazu National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (50357068)
Project Period (FY)	2008
Keywords	半導体 / 磁性体 / ヘテロ構造 / スピン注入 / エレクトロルミネッセンス
Research Abstract	本研究では電子のスピン機能を利用して情報を記憶する新型トランジスタの実現に必要なトンネル障壁層材料の開発を行った。その結果、酸化ガリウム(GaOx)という新障壁層材料を見出した。主な成果は以下の通りである。 1) 金属/絶縁体/半導体(MIS)型構造を有するFe/GaOx/Ga1-xMnxAsトンネル磁気抵抗(TMR)素子を作製し、MIS型素子では世界最高性能(磁気抵抗変化率58%)を達成した。 2) Fe/GaOx/n-AlGaAs MIS型トンネル素子において、GaOxの有効バリア高さが極めて低い(室温で0.10 eV)ことを明らかにした。