2008 Fiscal Year Final Research Report

Fabrication of MgO-magnetic tunnel transistor

Research Project

Project/Area Number	20042012
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Review Section	Science and Engineering
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	NAGAHAMA Taro National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (20357651)
Project Period (FY)	2008
Keywords	スピントロニクス / TMR / MgO / ホットエレクトロン
Research Abstract	優れたコヒーレントトンネリング特性と示すMgO バリアをエミッタに用いたMgO-強磁性トンネルトランジスタ(MgO-MTT)を作製し、その伝導特性を調べた。ベース層の薄膜化、コレクタ材料の最適化により伝導特性は大きく向上することが分かった。また、その特性は界面共鳴状態の影響を受けており、界面の電子状態を調べる新しいツールとしても活用可能であることが分かった。