2008 Fiscal Year Annual Research Report
トップダウンとボトムアップ融合による超高密度ナノホール配列形成と磁気記録媒体応用
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20241027
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| Research Institution | Kansai University |
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Principal Investigator |
新宮原 正三 Kansai University, システム理工学部, 教授 (10231367)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
田中 秀吉 独立行政法人情報通信研究機構, 神戸研究所, 主任研究員 (40284608)
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| Keywords | 垂直磁気記録 / 電解めっき / 陽極酸化アルミナ / FePt / ナノホール / 合金めっき / 保磁力 |
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| Research Abstract |
今年度は以下の2項目に注力して研究を行った。
1. ナノインプリント法によりAl薄膜上に100nm周期の窪みを形成し、陽極酸化条件を最適化してその3分の1である33nm周期のナノホール規則配列形成を検討する。
2. シリコン単結晶基板上へ形成した陽極酸化アルミナ・ナノホール配列内部へのFePtの電解めっ埋め込みの検討
まず1.について、Al板上へのSiCモールドを用いた直接インプリントを行い、その後陽極酸化の電圧条件を変えて、3分の1周期を求める条件を探索した。本テーマではナノホール周期をルート3分の1の約60nmに縮小することには成功したが、3分の1は未だ成功していない。その原因の一つとして、モールドとAl板との剥離が困難だったことが挙げられる。繰り返し陽極酸化を行うと、Al基板の変形及びSiCモールドの損傷が激しく、困難が多かった。これを解決する手段として、ガラス製モールドと光硬化性樹脂を用いたUVインプリント技術の導入が必要である。
2. については、単結晶シリコン基板上に形成したポーラスアルミナ・ナノホールにおいて、底部のアモルファス・アルミナ膜の除去を行い、基板からの磁性ナノロッドの電解メッキ成長を検討した。磁気異方性の強いFePtの堆積において、直流パルスめっきを適用し、オン時間とオフ時間を変化させて最も埋め込みに適したパルス条件を探索した。その結果、直径20nm、深さ1μmのナノホールに均一にFePtを埋め込む条件を見出すことに成功した。
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