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2008 Fiscal Year Annual Research Report

スピンチャンネルから量子ドットへのスピンブロッケードとその量子ビットへの応用

Research Project

Project/Area Number 20241033
Research InstitutionHokkaido University

Principal Investigator

陽 完治  Hokkaido University, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (60220539)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 末岡 和久  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (60250479)
大野 宗一  北海道大学, 大学院・工学研究科, 助教 (30431331)
中里 弘道  早稲田大学, 理工学研究科, 教授 (00180266)
Keywordsスピン / 量子ビット / 量子ドット / InAs / 量子計算
Research Abstract

(1) スピン注入および高効率スピン源開発
このマグネタイト/インジウム砒素ヘテロ構造系において半導体上のマグネタイトの結晶成長およびスピン注入デバイスプロセス開発をおこなった.また光学的評価についてはスピン偏極率の確認は、GaAs/AlGaAs量子井戸耕造での近赤外円偏光測定を行うための測定系の構築を行ないスピンダイオードからの発光を確認した。
(2) チャンネル電子のスピン制御
スピン軌道相互作用の大きなInAs系チャンネルでは、一般にバルク反転非対称性と構造反転非対称性とが釣り合って相殺すると位相が一斉に揃って歳差運動をする、いわゆるPersistent Spin Helix (PSH)運動をするようになるが、ヘテロ構造を工夫すると非常に大きなスピン軌道相互作用が得ちれることが明らかになった。このような特異なヘテロ構造においてはラシュバ係数の符号を容易に反転させることができること、すなわちPSH運動を実現するための条件を容易に設定できる可能性が出てきた。
(3) スピントランジスタのチャンネルから量子ドットへのスピン注入
「量子もつれ」状態の実現は、スピン源のスピン偏極率が80%以上で明瞭になるが従来の元素金属の強磁性体(鉄、コバルト、ニッケル)ではもつれ状態の検出は難しいことを計算によって示すことができた(Yuasa et.al, Phys. Rev. B 2009)。そのため、本項の最終目標である「量子もつれ」の確実な評価のためには上記(1)および(2)のさらなる成果を待たねばならない。

  • Research Products

    (14 results)

All 2009 2008

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (11 results)

  • [Journal Article] State Tomography of a Chain of Qubits Embedded in a Spin Field?Effect Transistor via Repeated Spin Blockade Measurements on the Edge Qubit2009

    • Author(s)
      Kazuya Yuasa, Koske Okano, Hiromichi Nakazato, Saori Kashiwada and Kanji Yoh
    • Journal Title

      Phys. Rev. B 79

      Pages: 075318-1-075318-6

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] マグネタイト/インジウム砒素ヘテロ構造の作製とスピン注入への応用2009

    • Author(s)
      江尻剛士、J.バベシュバブ、陽完治
    • Journal Title

      電子情報通信学会技術研究報告 108巻437号

      Pages: 13-17

  • [Journal Article] Enhancement of Spin-Orbit Interaction by Bandgap Engineering in InAs-Based Heterostructures2008

    • Author(s)
      Takashi Matsuda and Kanji Yoh
    • Journal Title

      J. Electronic Materials 37

      Pages: 1806-1810

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Fabrication and characterization of graphene transistor on SiC2009

    • Author(s)
      Kanji Yoh and Keita Konishi
    • Organizer
      2009 RCIQE International Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices
    • Place of Presentation
      北海道大学
    • Year and Date
      2009-03-02
  • [Presentation] Fabrication of magnetite / InAs heterostructure and application for spin injection2009

    • Author(s)
      Takeshi Ejiri, J. Bubesh Babu, Keita Konishi and Kanji Yoh
    • Organizer
      2009 RCIQE International Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices
    • Place of Presentation
      北海道大学
    • Year and Date
      2009-03-02
  • [Presentation] Top-gated Graphene FETFormed on Semi-insulting 4H-SiC2009

    • Author(s)
      Keita Konishi, Kanji Yoh, Hiroki Hibino
    • Organizer
      2009 RCIQE International Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices
    • Place of Presentation
      北海道大学
    • Year and Date
      2009-03-02
  • [Presentation] Fabrication and Characterization of Graphene Transistors grown on SiC (Invited)2009

    • Author(s)
      Kanji Yoh
    • Organizer
      Okazaki Conference From Aromatic Molecules to Graphene : Chemistry, Physics and Device Applications
    • Place of Presentation
      岡崎分子科学研究所
    • Year and Date
      2009-02-23
  • [Presentation] 半絶縁性4H-SiC基板上に作製したFET(招待講演)2009

    • Author(s)
      陽完治
    • Organizer
      九州大学共同研究集会(20ME-S4)「低次元カーボン系材料の最新動向-C_60,カーボンナノチューブ、グラフェン」
    • Place of Presentation
      九州大学応用力学研究所
    • Year and Date
      2009-01-23
  • [Presentation] グラフェントランジスタの作製と評価(招待講演)2009

    • Author(s)
      陽完治
    • Organizer
      独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会第66回研究会「新材料・新概念デバイスの展望」
    • Place of Presentation
      アジュール竹芝(東京)
    • Year and Date
      2009-01-16
  • [Presentation] Non-equilibrium Transport Issues on Graphene Field-Effect, Current saturation and Snin transnort (Invited)2008

    • Author(s)
      Kanji Yoh
    • Organizer
      International Symposium on Graphene Devices : Technology, Physics and Modeling
    • Place of Presentation
      会津大学
    • Year and Date
      2008-11-11
  • [Presentation] Anomalous Rashba Effect in Double Cladding InAs-Based Quantum Well2008

    • Author(s)
      Takashi Matsuda and Kanji Yoh
    • Organizer
      the 2^<nd> IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference
    • Place of Presentation
      京都大学
    • Year and Date
      2008-09-22
  • [Presentation] Observation of 6 micrometer long spin transport in a graphene multilayers2008

    • Author(s)
      Kanji Yoh and Keita Konishi
    • Organizer
      the 2^<nd> IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference
    • Place of Presentation
      京都大学
    • Year and Date
      2008-09-21
  • [Presentation] On the Critical Conditions for Successful Operation of Datta-Das-type Spin Transistor at Room Temperature2008

    • Author(s)
      Kanji Yoh
    • Organizer
      日本磁気学会第32回学術講演会シンポジウム「Integration of Metallic and Semiconductor Systems in Spin Electronics」
    • Place of Presentation
      東北学院大学
    • Year and Date
      2008-09-12
  • [Presentation] グラフェン単層膜におけるShubnikov de Haas振動2008

    • Author(s)
      小西敬太、松田喬、陽完治
    • Organizer
      第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学
    • Year and Date
      2008-09-03

URL: 

Published: 2010-06-11   Modified: 2016-04-21  

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