• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2009 Fiscal Year Annual Research Report

超高頻度荷電粒子の運動量測定のためのシリコン半導体測定器技術の研究開発

Research Project

Project/Area Number 20244038
Research InstitutionHigh Energy Accelerator Research Organization

Principal Investigator

海野 義信  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 准教授 (40151956)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 寺田 進  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 講師 (70172096)
池上 陽一  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (20222862)
高力 孝  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 先任技師 (20391732)
Keywords素粒子実験 / デバイス設計・製造プロセス / 放射線・X線・粒子線 / 国際協力
Research Abstract

「高度耐放射線性を持つシリコンマイクロストリップセンサー技術の開発」について成果を得つつあり、第7回半導体飛跡測定器の開発と応用の広島国際シンポジウム他で多数の講演や論文発表。n-ストリップ間分離抵抗の分離用p打ち込み濃度や、ストリップ上のAC結合絶縁層保護のためのパンチスルー抵抗の放射線量・p打ち込み濃度依存性等を明らかにしつつある。n-ストリップ間分離抵抗の分離用p打ち込み濃度は、p-stop構造では4×10**12ions/cm**2以上の表面濃度が必要なことを示す。ミニチュアセンサー・ホットエレクトロン・TCAD解析・設計最適化により、マイクロディスチャージ発生電圧を1kV以上に押さえ込んだp型基材の10cm角大面積シリコンマイクロストリップセンサーを完成した。設計のポイントは、n-ストリップ分離構造と周辺部のバイアスリングの細部構造。1kVの空乏化電圧は、想定する超高頻度粒子環境で必要とされる空乏化電圧をほぼ達成している。東北大CYRIC施設にてミニチュアセンサーの放射線損傷試験は施設の利用が制限されたため、次年度に繰り越して照射試験を行い、測定中。高集積・高熱伝導・低質量のハイブリッドの設計が完了し、次期シリコンストリップセンサー用の試験用ABCN25読み出しASICを搭載して、ハイブリッド・ASICの評価をおこない、良好な結果を取得中。接続するストリップ長2.5、5.0,7.5,10cmの入力部静電容量依存性は理想静電容量時より大きく、原因を解析中。更に、10cm角センサーを2枚、ASICを搭載したハイブリッドを4台、両面に搭載した両面読み出しモジュールの電気特性を評価中。最終的には複数台(4-8台)のモジュールでシステム化試験を目指す。

  • Research Products

    (26 results)

All 2011 2010 2009 Other

All Journal Article (11 results) (of which Peer Reviewed: 9 results) Presentation (14 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Development of n-in-p silicon sensors for very high radiation environments2010

    • Author(s)
      Y.Unno, 他
    • Journal Title

      Nucl.Instr.Meth.

      Volume: (未定 掲載決定)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Optimization of surface structures in n-in-p silicon sensors using TCAD simulation2010

    • Author(s)
      Y.Unno, 他
    • Journal Title

      Nucl.Instr.Meth.

      Volume: (未定 掲載決定)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Testing of bulk radiation damage of n-in-p silicon sensor for very high radiation environment2010

    • Author(s)
      K.Hara, 他
    • Journal Title

      Nucl.Instr.Meth.

      Volume: (未定 掲載決定)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Testing of surface properties pre-rad and post rad of n-in-p silicon sensor for very high radiation environment2010

    • Author(s)
      S.Lindgren, 他
    • Journal Title

      Nucl.Instr.Meth.

      Volume: (未定 掲載決定)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Testing of large area n-in-p silicon sensors intended for a very high radiation environment2010

    • Author(s)
      M.Mikestikova, 他
    • Journal Title

      Nucl.Instr.Meth.

      Volume: (未定 掲載決定)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Development of low-mass, high-density, hybrid for the silicon microstrip sensors in very high radiation environment2010

    • Author(s)
      Y.Ikegami, 他
    • Journal Title

      Nucl.Instr.Meth.

      Volume: (未定 掲載決定)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Development of radiation-tolerant silicon microstrip sensor for the ATLAS inner tracker at the SLHC2010

    • Author(s)
      Y.Unno, et al.
    • Journal Title

      Nucl.Instr.Meth.

      Volume: (未定 掲載決定)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] SLHC upgrade of the ATLAS SCT Tracker2010

    • Author(s)
      Y.Unno, 他
    • Journal Title

      Nucl.Instr.Meth.

      Volume: A612 Pages: 439-447

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Interstrip Characteristics of n-on-p FZ Silicon Detectors2009

    • Author(s)
      S.Lindgren, 他
    • Journal Title

      2009 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record

      Volume: N08-2 Pages: 157-162

  • [Journal Article] Performance of Low-Mass and High Thermal Conductivity Hybrid for High Track Density Environment2009

    • Author(s)
      Y.Ikegami, 他
    • Journal Title

      2009 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record

      Volume: N13-172 Pages: 779-781

  • [Journal Article] Development of Radiation Hard N+-on-P Silicon Microstrip Sensors for Super LHC.2009

    • Author(s)
      K. Hara, 他
    • Journal Title

      IEEE Trans.on Nucl.Sci.

      Volume: 56-5 Pages: 468-473

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Latest results in developing n-in-p pixel and microstrip sensors for very high radiation environments2011

    • Author(s)
      Y.Unno, 他
    • Organizer
      6th "Trento" Workshop on Advanced Silicon Radiation Detectors (3D and p-type technologies)
    • Place of Presentation
      FBK-Irst, Trento, Italy
    • Year and Date
      2011-03-03
  • [Presentation] Evaluation of lateral depletion in the edge region and evaluation of punch-through protection in the strip ends before and after irradiation2011

    • Author(s)
      S.Mitsui, 他
    • Organizer
      6th "Trento" Workshop on Advanced Silicon Radiation Detectors (3D and p-type technologies)
    • Place of Presentation
      FBK-Irst, Trento, Italy
    • Year and Date
      2011-03-02
  • [Presentation] SLHC実験に用いる高放射線耐性P型シリコンマイクロストリップセンサーの開発2010

    • Author(s)
      高橋優, 他
    • Organizer
      日本物理学会
    • Place of Presentation
      岡山大学
    • Year and Date
      20100320-20100323
  • [Presentation] Development of n-in-p silicon strip and pixel sensors for very high radiation environment2010

    • Author(s)
      Y.Unno, 他
    • Organizer
      The 5^<th> "Trento" Workshop on Advanced Silicon and Radiation Detectors
    • Place of Presentation
      Manchester, UK
    • Year and Date
      20100224-20100226
  • [Presentation] Development of silicon strip module for very high radiation environment2010

    • Author(s)
      Y.Ikegami, 他
    • Organizer
      The 5^<th> "Trento" Workshop on Advanced Silicon and Radiation Detectors
    • Place of Presentation
      Manchester, UK
    • Year and Date
      20100224-20100226
  • [Presentation] Surface effects in irradiated silicon sensors2010

    • Author(s)
      H.Sadrozinski, 他
    • Organizer
      The 5^<th> "Trento" Workshop on Advanced Silicon and Radiation Detectors
    • Place of Presentation
      Manchester, UK
    • Year and Date
      20100224-20100226
  • [Presentation] SLHCに用いるp型マイクロストリップセンサーの放射線耐性2009

    • Author(s)
      山田美帆, 他
    • Organizer
      日本物理学会
    • Place of Presentation
      甲南大学
    • Year and Date
      20090910-20090913
  • [Presentation] SLHC用P型シリコン飛跡検出器の放射線によるバルク部損傷の評価2009

    • Author(s)
      三井真吾, 他
    • Organizer
      日本物理学会
    • Place of Presentation
      甲南大学
    • Year and Date
      20090910-20090913
  • [Presentation] Development of n-on-p Silicon Sensors for very high radiation environment2009

    • Author(s)
      Y.Unno, 他
    • Organizer
      7^<th> International Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Devices
    • Place of Presentation
      広島市国際会議場
    • Year and Date
      20090829-20090901
  • [Presentation] Optimization of surface structures in n-in-p silicon sensors using TCAD simulation2009

    • Author(s)
      Y.Unno, 他
    • Organizer
      7^<th> International Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Devices
    • Place of Presentation
      広島市国際会議場
    • Year and Date
      20090829-20090901
  • [Presentation] Testing of bulk radiation damage of n-in-p silicon sensor for very high radiation environment2009

    • Author(s)
      K.Hara, 他
    • Organizer
      7^<th> International Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Devices
    • Place of Presentation
      広島市国際会議場
    • Year and Date
      20090829-20090901
  • [Presentation] Testing of surface properties pre-rad and post rad of n-in-p silicon sensor for very high radiation environment2009

    • Author(s)
      H.Sadronzinski, 他
    • Organizer
      7^<th> International Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Devices
    • Place of Presentation
      広島市国際会議場
    • Year and Date
      20090829-20090901
  • [Presentation] Testing of large area n-in-p silicon sensors intended for a very high radiation environment2009

    • Author(s)
      M.Mikestikova, 他
    • Organizer
      7^<th> International Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Devices
    • Place of Presentation
      広島市国際会議場
    • Year and Date
      20090829-20090901
  • [Presentation] Development of low-mass, high-density, hybrid for the silicon microstrip sensors in very high radiation environment2009

    • Author(s)
      Y.Ikegami, 他
    • Organizer
      7^<th> International Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Devices
    • Place of Presentation
      広島市国際会議場
    • Year and Date
      20090829-20090901
  • [Remarks]

    • URL

      http://jsdhp1.kek.jp/~www/UnnoH20H22KibanA/home.html

URL: 

Published: 2012-07-19  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi