2008 Fiscal Year Annual Research Report
ポリジアセチレン固相重合薄膜による高移動度FETの創製
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20245046
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
安達 千波矢 Kyushu University, 未来化学創造センター, 教授 (30283245)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
八尋 正幸 九州大学, 未来化学創造センター, 助教 (40432877)
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| Keywords | 有機FET / ポリジアセチレン / LB膜 / 移動度 / 固相重合 |
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| Research Abstract |
テフロンでラビングしたSiO_2基板上にポリジアセチレンモノマーを蒸着し、50℃において、数μm x10μmのドメインサイズに達する帯状(フローリング状)の結晶ドメインが得られた。しかしながら、多数の線状のクラックが観測された。このことは、配向膜の実現に成功したものの、基板表面とPDA薄膜の表面エネルギーの違いにより多数の表面クラックや剥がれが生じたものと考えられる。このような50℃で得られたPDA薄膜をFETに用いた素子では、最大移動度0.1cm^2/Vs程度の値が得られた。また、LB法による2次元単分子結晶膜の形成について検討した。水面上へのPDA溶液の展開の後、圧縮によって2次元結晶膜を得た。その後、FET基板上へ転写して、光重合を行いFETデバイスを完成させた。単分子FETを形成し、FET特性の測定を行ったが、移動度は10-5cm2/Vsに留まった。今後、成膜方法の最適化によって、移動度の向上を目指す。さらに、単結晶の育成について検討を行った。本研究では、ガスフロー型昇華精製や溶媒からの単結晶育成を試みた。昇華精製では、ガス流量、結晶成長温度の最適化によって、ミリサイズの単結晶育成が可能となった。また、溶媒からの再結晶法による結晶成長においては、数種類の溶媒について検討を行った結果、 THFとトルエンからの再結晶によって、数100μmに達する結晶を得た。
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