2010 Fiscal Year Self-evaluation Report
Si single-electron transfer devices using potential fluctuation by a few dopants
| Project/Area Number |
20246060
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
TABE Michiharu Shizuoka University, 電子工学研究所, 教授 (80262799)
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| Project Period (FY) |
2008 – 2010
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| Keywords | 少数電子素子 / 電子デバイス・機器 / 半導体超微細化 / シリコン |
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| Research Abstract |
ナノメータ領域のシリコンデバイスは、ドーパントの個数や配置のばらつきがデバイス特性を左右するため、これを克服するデバイス原理の提案が必要である。本研究は、シリコン単電子デバイスに関する我々の最近の成果(基盤研究Sによる)を基に提案するものであり、ランダムに配置された少数個のドーパントのポテンシャル場を利用することにより、1ゲートパルスあたり1個の電子を転送する単電子転送デバイスの開発を目指す。すなわち、ナノ領域で顕在化するドーパントのポテンシャル揺らぎを積極的に利用したシリコンナノデバイスの開発を目的とする。
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